基于RS碼的抗多位翻轉SRAM設計.pdf

1、隨著工藝尺寸的降低，一塊芯片上晶體管的數(shù)目也越來越多，多位錯誤翻轉(Multiple Bits Upsets, MBUs)在電子器件中發(fā)生的概率也越來越高。這些電子器件中包含了大量的存儲器單元和加法器、乘法器等組合電路，這些電路都很容易受到MBUs的影響，但是，存儲器單元的的結構使得它對于MBUs更加敏感，因此，有必要采用一定的方法來降低MBUs對于存儲單元的影響，提高電子器件的可靠性。糾錯碼(Error Correction Code

2、s)是一種非常有效的在系統(tǒng)級糾正多位錯誤的方法。與其他設計層次（器件級、電路級、版圖級）的方法相比，糾錯碼可以很好的和工藝兼容，操作靈活，可執(zhí)行性強，成本較低，電路上也易于實現(xiàn)。漢明碼是一種應用比較廣泛的糾錯碼，它可以用比較小的面積和功耗糾正一位錯誤。但是，隨著晶體管尺寸的減小，以及環(huán)境中的噪聲和其他粒子的影響，多位錯誤的發(fā)生概率越來越高，漢明碼的糾錯能力有限，不能提供足夠的可靠性，因此，有必要采用多位錯誤糾錯碼。
　　本文采用基

3、于分組的、能夠糾正多位錯誤的RS碼來加固SRAM以降低MBUs對存儲器的影響。然而，在 RS碼的編碼和譯碼過程中經(jīng)常使用乘法算法。通常采用查找表的方法來實現(xiàn)乘法運算，這樣會帶來比較大的面積和功耗的開銷，同時增加了電路的復雜性。本文提出了一種新型的低開銷的乘法矩陣來完成乘法算法并把該矩陣應用在 RS碼的編碼和譯碼過程中，仿真結果顯示采用了該算法后面積減小了13％，功耗降低了12%。此外，構造矩陣 M的通用算法也在本文中進行了詳細的推導。在