GaInP-AlGaInP多量子阱外延片的生長與光學(xué)性質(zhì)研究.pdf

1、該論文主要通過光致發(fā)光和喇曼兩種檢測方法,對GalnP/(Al<,x>Ga<,1-x>)InP MQW外延片的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行深入的理論分析和實(shí)驗(yàn)研究,以達(dá)到改善MQW結(jié)構(gòu)設(shè)計和提高材料生長質(zhì)量的目的.取得了如下主要成果:(1)首次分析了GaInP/AlGaInP多量子阱光致發(fā)光譜(PLS),觀察到一個強(qiáng)發(fā)光峰和一個弱發(fā)光峰,找出PLS中發(fā)光峰形成的機(jī)理,理論計算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本一致.(2)對不同結(jié)構(gòu)的GaInP/AlGaInP多量子阱樣品進(jìn)

2、行了光致發(fā)光及出光強(qiáng)度的測量,發(fā)現(xiàn)MQW的周期數(shù)目N對PL峰強(qiáng)度、半峰寬和出光強(qiáng)度的影響最大;阱/壘寬厚度比a對PL峰強(qiáng)度和半峰寬的影響較小,但對發(fā)光強(qiáng)度的影響較大.阱/壘寬厚度比a較之MQW的周期數(shù)目N對PL發(fā)光波長的影響更大.(3)首次用喇曼(Raman)散射方法研究了常溫下的GaInP/AlGaInP多量子阱結(jié)構(gòu),除了指認(rèn)出喇曼光譜中各光學(xué)聲子模外,還結(jié)合樣品光致發(fā)光譜的測量結(jié)果,分析發(fā)現(xiàn)喇曼光譜中AlP-LO/TO的相對強(qiáng)度比可

3、以在一定程度上評定晶體GaInP/AlGaInP MQW的生長質(zhì)量;(4)在修正的隨機(jī)元素等位移一MREI模型的基礎(chǔ)上建立了一個新模型,計算了AB<,1-x>C<,x>型Ⅲ-V族半導(dǎo)體混晶的長波長光學(xué)聲子模頻率的組分變化關(guān)系.(5)在AB<,1-x>C<,x>型Ⅲ-V族半導(dǎo)體混晶的基礎(chǔ)上,我們改進(jìn)了MREI模型,并將其應(yīng)用在(Al<,x>Ga<,1-x>)<,1-y>In<,y>P和(Al<,x>Ga<,1-x>)<,1-y>In<,y