多量子阱多模干涉型光子器件研究.pdf

1、隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，光通信作為一門(mén)前沿技術(shù)在21世紀(jì)將成為信息科學(xué)技術(shù)發(fā)展的重要方向之一。光通信質(zhì)量和效率的提高，光器件是關(guān)鍵和核心。利用Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體多量子阱(MQW)材料，可制成各類(lèi)低功耗、超高速平面光波光路(PLC)單元，從而為研制PiCs和OEICs奠定基礎(chǔ)。 本文基于InP/InGaAsP多量子阱材料，對(duì)可調(diào)式多模干涉耦合器、光調(diào)制器/開(kāi)關(guān)等器件開(kāi)展了理論分析，優(yōu)化設(shè)計(jì)、加工制作以及測(cè)試分析等多方面工作，主要工作包

2、括： 1．對(duì)普通和受限多模干涉自鏡像效應(yīng)及非矩形結(jié)構(gòu)的多模干涉自鏡像效應(yīng)進(jìn)行了系統(tǒng)闡述；介紹了廣義N×N多模干涉馬赫-曾德?tīng)柟忾_(kāi)關(guān)工作原理，給出了光場(chǎng)傳輸模型。 2．討論了目前光波導(dǎo)材料的物理效應(yīng)，然后建立了基于準(zhǔn)靜態(tài)法的行波電極分析模型，分析了行波電極波導(dǎo)內(nèi)部電場(chǎng)分布與外驅(qū)動(dòng)電路阻抗匹配關(guān)系，以及調(diào)制信號(hào)入口的位置等，給出了電極尺寸、電極間隙與調(diào)制器特性阻抗的關(guān)系。 3．提出并設(shè)計(jì)、制作測(cè)試了可調(diào)式InP/In