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文檔簡介
1、半導體超晶格和量子阱材料是用現代薄膜生長技術制成的一種新型的人造材料。這種材料的周期性是按人們的要求任意改變的,因此對其中運動的電子、空穴附加了人為的周期勢。正是由于這一點,使得超晶格和量子阱材料具有許多不同于天然材料的特殊性質,具有廣闊的應用前景,因而受到半導體物理、材料科學、微電子學、光電子學的重視,成為這些學科中一個非?;钴S的研究領域。 超晶格和量子阱新材料的出現,無論在理論上,還是在實際應用上都具有重要意義。從超晶格和量子阱的出
2、現到目前,對其物理性質和微觀結構材料的生長方法研究已取得了突飛猛進的發(fā)展。它們在光學和電子學器件方面的應用也日益廣泛。因此,這一領域的每一進展都成為當代固體物理學和固體器件領域最引人注目的事情。 本文回顧了近年來超晶格和量子阱材料的研究近況,報道了我們用MBE法制備GaAs/AlGaAs,對其特性進行了研究,論文主要包括三部分。 第一章介紹了超晶格和量子阱材料的基本理論,超晶格、量子阱的概念,基本性質。 第二章介紹了量子阱、超晶格材料的
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