版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、在學(xué)科融合交叉處所誕生的有機(jī)電致發(fā)光,為照明和顯示行業(yè)的發(fā)展開(kāi)辟了具有革命性意義的新領(lǐng)域,進(jìn)而,白光有機(jī)電致發(fā)光也一直受到發(fā)光顯示和照明領(lǐng)域的追捧,有極其廣闊和重要的應(yīng)用前景。本學(xué)位論文工作中以芴類藍(lán)光材料PFO為主體,通過(guò)摻雜紅橙光聚合物材料MEH-PPV得到了單層的白光有機(jī)電致發(fā)光活性膜層,隨后利用經(jīng)過(guò)二次溶劑摻雜后的聚合物聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(G-PEDOT:PSS)制成導(dǎo)電薄膜,通過(guò)粘貼工藝將其作為電致發(fā)光器
2、件的陽(yáng)極膜層粘貼到器件的活性功能層上,從而可以在柔性基板上制備得到工藝極為簡(jiǎn)單、靈活的柔性白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本學(xué)位論文的具體研究工作主要分為三個(gè)部分:
一、白光有機(jī)電致發(fā)光活性層的制備。以芴類藍(lán)光材料PFO為主體,通過(guò)摻雜MEH-PPV作為發(fā)光層,制備了單層的白光有機(jī)電致發(fā)光器件,本文從摻雜濃度對(duì)器件的光譜特性和色坐標(biāo)穩(wěn)定性的影響方面對(duì)器件的發(fā)光性能進(jìn)行了分析研究。實(shí)驗(yàn)過(guò)程中得到,在MEH-PPV以2.5wt%摻雜作為活性
3、層時(shí),所制備器件的開(kāi)啟電壓為3V,發(fā)光色坐標(biāo)可達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)白光等能點(diǎn)(0.33,0.33),器件發(fā)光色坐標(biāo)在5~20V很寬的范圍內(nèi)隨電壓變化幅度很小,基本穩(wěn)定在白光區(qū)域。
二、有機(jī)電致發(fā)光器件的全溶液法制備。實(shí)驗(yàn)利用摻雜后的高性能導(dǎo)電聚合物G-PEDOT:PSS單獨(dú)制備陽(yáng)極膜層,同時(shí),利用溶液法制備發(fā)光活性層及各功能膜層,通過(guò)粘貼工藝使制備好的G-PEDOT:PSS陽(yáng)極膜層附著到活性層上,從而得到了全溶液法制備的有機(jī)電致發(fā)光器件。
4、最后,利用導(dǎo)電聚合物PEDOT和離子化合物Cs2CO3作為載流子注入層對(duì)器件性能做了優(yōu)化。實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步探究了Cs2CO3膜層厚度對(duì)器件性能的影響,并利用全溶液法制備出了發(fā)光強(qiáng)度可達(dá)到375cd/m2,發(fā)光效率達(dá)到0.24cd/A的OLED器件。
三、柔性電致發(fā)光器件的制備。將鍍有ITO透明電極層的柔性襯底PET進(jìn)行強(qiáng)酸刻蝕、清洗等處理后作為陰極,以2.5wt%摻比的PFO:MEH-PPV白光材料作為活性發(fā)光層,并添加電子注入層和
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- ZnO憶阻器的全溶液法制備及性能研究.pdf
- 溶液法制備硅納米線研究.pdf
- ZnO薄膜的水溶液法制備與研究.pdf
- 溶液流延法制備全氟磺酸離子交換膜的工藝研究.pdf
- 基于溶液法制備的電子注入層的研究.pdf
- Ni-W基底上全化學(xué)溶液法制備YBCO涂層導(dǎo)體研究.pdf
- 全濕法制備PLED的研究.pdf
- 溶液鋼帶流延法制備全氟磺酸離子交換膜.pdf
- ZnO納米材料的溶液法制備與性能研究.pdf
- 溶液聚合法制備聚乳酸的研究.pdf
- 酶法制備全赤豆飲料的研究.pdf
- 納米金粒子的溶液法制備及其自組裝研究.pdf
- 溶液法制備β晶型PVDF條件及機(jī)理研究.pdf
- IGZO憶阻器件的溶液法制備與電性能研究.pdf
- 無(wú)氟化學(xué)溶液法制備YBCO超導(dǎo)薄膜.pdf
- ZnO納米結(jié)構(gòu)的水溶液法制備與表征.pdf
- 基于NiO薄膜的存儲(chǔ)器件溶液法制備及其性能研究.pdf
- 超臨界快速膨脹溶液接收法制備納米顆粒的實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 絡(luò)合溶液化學(xué)還原法制備納米鈷粉的研究.pdf
- 化學(xué)溶液沉積法制備導(dǎo)電緩沖層及其性能研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論