溶液體系中種子層法制備ZnO納米棒陣列的研究.pdf

1、ZnO作為一種重要的II～VI半導(dǎo)體材料，它在室溫下禁帶寬度為3.37e V，且具有較大的激子束縛能(60meV)。由于它在電學(xué)、光學(xué)、機(jī)械及聲學(xué)等方面卓越的性能，在納米材料領(lǐng)域掀起了一股研究熱潮。而且ZnO納米棒材料的性能比其體相材料更加優(yōu)異，一系列由ZnO納米棒材料構(gòu)造的新型光電子器件已經(jīng)被不斷研制和開發(fā)。
　　溶液體系中種子層法由于其低的成本、實(shí)驗(yàn)設(shè)備簡(jiǎn)單易操作及有利于大規(guī)模的樣品制備等特點(diǎn)，越來越受到人們的關(guān)注。所以我們就

2、采用這種簡(jiǎn)單的方法在兩種不同的ZnO種子層上制備ZnO納米棒陣列，并使用 X射線衍射儀、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡以及PL光譜對(duì)所得產(chǎn)物進(jìn)行形貌表征和發(fā)光性能的分析。結(jié)果表明ZnO納米棒陣列的取向性直接由ZnO種子層的取向性決定，ZnO納米棒的直徑和種子層、生長(zhǎng)液濃度、生長(zhǎng)時(shí)間都有關(guān)。種子層直徑越大，由它同質(zhì)外延生長(zhǎng)的ZnO納米棒直徑就越大；生長(zhǎng)液濃度過高或者過低都會(huì)導(dǎo)致ZnO納米棒陣列尺寸分布不均勻；隨著生長(zhǎng)時(shí)間增長(zhǎng)ZnO納米棒的(002)面逐漸