溶膠-凝膠法制備摻雜鉍、釔、鈮的鈦酸鍶鋇基陶瓷薄膜的研究.pdf_第1頁
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1、 本文對應用于DRAM電容介質(zhì)的鈦酸鍶鋇(BST)薄膜材料的制備與性能進行了研究。采用溶膠—凝膠方法以廉價的Ba和Sr的醋酸鹽為前軀體成功制備了均一BST薄膜，并對其結構與性能進行了表征。在熱解、晶化過程中升溫速率、保溫時間、降溫速率對薄膜的結構有較大的影響。探索了工藝對薄膜表面形貌的影響，最佳燒結工藝條件為：升溫速率0.5℃/min，降溫速率1℃/min。在BST薄膜與基質(zhì)之間制備了TiO2緩沖層，它有效解決了電極與基質(zhì)剝離的

2、問題。利用SEM、TG、DTA，對燒結制度、晶化溫度進行了分析，得到最佳晶化溫度為750℃，保溫時間60min。研究了薄膜厚度對其電學性能的影響，采用溶膠—凝膠方法制備薄膜的厚度為450nm時，Pt/BST/Pt薄膜電容器在1KHz下其介電常數(shù)為70.2，介電損耗0.09。研究了微量元素鉍、釔和鈮對BST薄膜(摻量分別為：0.7～3mol﹪和0.39～4.12mol﹪)的結構與介電性能的影響規(guī)律。測試了薄膜的介電性能與微量元素含量的關

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