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文檔簡介
1、隨著半導(dǎo)體工藝特征尺寸的不斷縮小，各種便攜式產(chǎn)品相繼步入我們的生活。但是由于電池技術(shù)發(fā)展緩慢以及芯片散熱等一系列問題導(dǎo)致功耗成為各種SoC需要解決的重要問題。而SRAM占用SoC相當(dāng)大一部分，那么如何降低SRAM的功耗成為許多設(shè)計(jì)師所要思考的難題。
本文首先分析了SRAM的功耗來源以及低功耗SRAM可用的辦法，由于動態(tài)功耗與電源電壓成二次方關(guān)系，降低電源電壓首先帶來的是動態(tài)功耗的大量減少，同時電源電壓的降低使其與閾值電壓更加接
2、近，特別是亞閾值狀態(tài)下，靜態(tài)功耗的降低更是顯著的。因而采用低電源電壓的低功耗方法雖然降低了速度，但是可以大幅度降低SRAM的功耗，并且同其它低功耗技術(shù)不相沖突。
由于6管單元SRAM在低電源電壓特別是亞閾值條件下可靠性很差以及寫能力的不足，本文設(shè)計(jì)了10管單元SRAM。其不同的電路結(jié)構(gòu)決定了10管單元SRAM比6管單元具有更多的優(yōu)點(diǎn)并且滿足SRAM在低電源電壓的工作條件。
本文以10管存儲單元為基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)了一個64×
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