2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、隨著半導體工藝的不斷發(fā)展,單位面積上集成的管子數量大幅增加,集成電路的規(guī)模也越來越大。在許多設計中,存儲數據和程序指令的存儲器占用了芯片的大部分面積,存儲器的性能對整個電路至關重要。
  由于受到周圍環(huán)境的輻射,器件中會發(fā)生單粒子翻轉現(xiàn)象,從而造成存儲器存儲數據發(fā)生錯誤,嚴重的影響整個芯片的性能。尤其對于宇航方面,宇宙空間中較大的輻射強度會使得器件更容易發(fā)生單粒子翻轉,從而導致嚴重的后果。單粒子翻轉對存儲器的可靠性提出了嚴峻的挑戰(zhàn)

2、,因此,設計一種可以抗單粒子翻轉的高可靠性存儲器是非常有意義的。
  針對單粒子翻轉問題,本文對11管單元存儲器及其相關外圍電路進行了設計。通過研究單粒子翻轉的特性,本文設計的11管存儲單元可以通過內部電路結構對發(fā)生的單粒子翻轉進行糾正,以保證存儲器的高可靠性。設計出的11管單元采用節(jié)點隔離,以定時刷新來對單元中的電荷流失進行補償,以此為基礎設計了它的外圍電路。由于此結構屬于單端位線讀寫的方式,其靈敏放大器、刷新信號產生電路和讀寫

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