AIN、ta-C薄膜制備及其在SOI技術(shù)中的應(yīng)用研究.pdf

1、SOI材料可成功的應(yīng)用于微電子的大多數(shù)領(lǐng)域，但由于其SiO_2絕緣埋層的自熱效應(yīng)，使其在高溫高功率器件中的應(yīng)用受到局限。科學(xué)家們已經(jīng)對(duì)此問(wèn)題進(jìn)行了大量的研究，并提出了一些可行性方案。為解決此間題，本文提出采用熱傳導(dǎo)性能較好的絕緣層取代SiO_2薄膜來(lái)解決。為開(kāi)發(fā)具有不同絕緣層材料的新型SOI材料和技術(shù)，我們首先針對(duì)傳統(tǒng)SOI結(jié)構(gòu)以及新型SOI結(jié)構(gòu)，建立了適用于“電-熱-結(jié)構(gòu)”分析的電熱模型，并分析了溫度變化對(duì)遷移率、載流子濃度、閾值電壓

2、、源漏特性等SOI器件主要電學(xué)特性參數(shù)的影響情況，發(fā)現(xiàn)溫度升高將使器件溝道遷移率和閾值電壓下降，并影響器件的源漏特性及本征載流子濃度，這一觀察有利于進(jìn)一步從理論上探討和研究功率器件的自熱效應(yīng)給器件性能帶來(lái)的負(fù)面影響。另外，本文還研究了SOI器件運(yùn)行過(guò)程中，由于自身功耗而導(dǎo)致的自加熱過(guò)程以及散熱過(guò)程的特點(diǎn)。為定量研究不同環(huán)境溫度條件下，由于器件功耗導(dǎo)致的晶格溫度和內(nèi)部熱應(yīng)力在器件中的分布情況，我們采用ANSYSv6.1有限元分析軟件，模擬