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1、利用超巨磁電阻材料制作工作于室溫的高性能測(cè)輻射熱儀是國(guó)際上CMR應(yīng)用研究的一個(gè)重要方向,而能否制備具有室溫轉(zhuǎn)變點(diǎn)的薄膜材料是其中的一個(gè)決定因素.該論文的任務(wù)就是利用脈沖激光沉積LaCaMnO<,3>薄膜,并通過(guò)退火等一系列工藝處理提高薄膜性質(zhì),最終制作測(cè)輻射熱儀的敏感元件,同時(shí)也對(duì)材料的物性展開討論,以探尋更多的應(yīng)用.我們以優(yōu)質(zhì)參Ag 4wt%的LaCaMnO<,3>多晶為靶材,利用準(zhǔn)分子脈沖激光沉積法分別在SrTiO<,3>和LaAl
2、O<,3>襯底上制備薄膜,經(jīng)過(guò)摸索和實(shí)驗(yàn),得到了較為成熟的工藝流程.所得薄膜表面平整、光滑且厚離均勻,經(jīng)XRD測(cè)量,結(jié)構(gòu)完整,無(wú)其它雜相,基本為外延生長(zhǎng).濺射后無(wú)處理時(shí)薄膜的金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變溫度點(diǎn)通常在190~240K之間.以高溫、高氧壓的條件對(duì)薄膜進(jìn)行后退火處理,薄膜性質(zhì)得到極大改善,轉(zhuǎn)變溫度點(diǎn)提高了~300K,電阻-溫度系數(shù)也達(dá)到了~5-8%,不僅提高了轉(zhuǎn)變溫度點(diǎn),而且使轉(zhuǎn)變保持在一個(gè)較窄的溫度區(qū)間內(nèi).這一結(jié)果在以LaCaMnO<,
3、3>為成份的材料系列中是最好的.同時(shí),退火后薄膜的電阻率明顯下降,外加5T磁場(chǎng)時(shí),最大磁電阻率溫度點(diǎn)上升到287K,接近于室溫,這不僅為制作室溫超巨磁電阻測(cè)輻射熱儀打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),也為其它許多器件的應(yīng)用提供了可能.以制作室溫超巨磁電阻測(cè)輻射熱儀為目標(biāo),將T<,MI>~300K,TCP~5%的薄膜進(jìn)行光刻、電極制作、封閉等處理制作測(cè)輻射熱儀原型器件.初步的測(cè)量表明,在最佳工作溫度點(diǎn)附近,器件對(duì)信號(hào)具有靈敏的響應(yīng).這就為器件的進(jìn)一步測(cè)量和
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