soi的簡介及其制備技術(shù)

1、題目題目(中)SOISOI的簡介及其制備技術(shù)的簡介及其制備技術(shù)(英)TheTheintroductionintroductionpreparationpreparationtechnologytechnologySOISOI姓名與學號姓名與學號指導教師指導教師_年級與專業(yè)年級與專業(yè)所在學院所在學院混合過程SOASilicononAnythinglayertransfer混合過程SONSilicononNothingpreferentia

2、letchingSOI材料具有了體硅等其他硅材料所無法比擬的優(yōu)點：1）速度高全耗盡SOI器件具有遷移率高、跨導大、寄生電容小等優(yōu)點使SOICMOS具有極高的速度特性。2）功耗低全耗盡SOI器件漏電流小，靜態(tài)功耗小；結(jié)電容與連線電容均很小，動態(tài)功耗小。3）集成密度高SOI采用介質(zhì)隔離，不需要制備體硅CMOS電路的阱等復雜隔離工藝，器件最小間隔僅取決于光刻和刻蝕技術(shù)的限制。4）成本低SOI技術(shù)除了襯底材料成本高于硅材料外，其他成本均低于體硅

3、。SOICMOS的制造工藝比體硅至少少3塊掩模板，減少13~20%的工序。5）抗輻照特性好全介質(zhì)隔離結(jié)構(gòu)，徹底消除體硅電路中的閂鎖效應。且具有極小的結(jié)面積，因此具有非常好的抗軟失效，瞬時輻照和單粒子翻轉(zhuǎn)能力。SOI可以根據(jù)它的硅膜厚度分為兩類：薄膜全耗盡結(jié)構(gòu)（FD）和厚膜部分耗盡結(jié)構(gòu)(PD)。由于SOI的絕緣介質(zhì)把硅隔開，所以厚膜SOI結(jié)構(gòu)上的器件正、背界面的耗盡層之間不互相影響，在它們中間存在一中性體區(qū)，這一中性體區(qū)的存在使得硅體處于

4、電學浮空狀態(tài)，產(chǎn)生了兩個明顯的寄生效應：“翹曲效應”效應和晶體管效應。如果將這一中性區(qū)接地，則厚膜器件工作特性便和體硅器件特性幾乎完全相同。而基于薄膜SOI結(jié)構(gòu)的器件由于硅膜的全部耗盡完全消除“翹曲效應”，且這類器件具有低電場、高跨導、良好的短溝道特性和接近理想的亞閾值斜率等優(yōu)點。SOI技術(shù)適應范圍很廣，除了在集成電路中使用外，還被用于微光機電MEMS系統(tǒng)的制造，如3D反射鏡陣列開關(guān)。現(xiàn)在，科學家已經(jīng)開始基于SOI技術(shù)的光通信器件、微機

5、械、傳感器和太陽能電池的研發(fā)。東芝研發(fā)中心、Atmel公司、NXP等著名電子材料研發(fā)公司已經(jīng)著力SOI技術(shù)的研究和革新，SOI技術(shù)正在日新月異地發(fā)展中。SOI的發(fā)展前景：因為SOI材料相比于其他硅材料的巨大優(yōu)點，以及技術(shù)進步和市場驅(qū)動日益推動著SOI材料的商品化，SOI材料正在以強盛的勢頭發(fā)展著。隨著國際信息產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，作為半導體工業(yè)基礎(chǔ)材料的硅材料工業(yè)，尤其是SOI材料工業(yè)也將隨之強勢發(fā)展。有關(guān)專家預測，在2012年之后，硅材料無