射頻反應(yīng)磁控濺射制備AIN薄膜及其物理性能分析.pdf

1、作為寬能隙直接能帶結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料,AlN、GaN、InN等Ⅲ族氮化物由于高效率可見光和紫外光發(fā)射以及光響應(yīng)特性而在全色光器件方面具有良好的應(yīng)用前景.其中,AlN還具有高熱導(dǎo)、高硬度以及良好的介電性質(zhì)、聲學(xué)性質(zhì)和化學(xué)穩(wěn)定性,可望在短波光發(fā)射和光探測、表面聲學(xué)、壓電器件等光電子和微電子器件方面得到廣泛應(yīng)用.該文采用RF反應(yīng)磁控濺射方法在n-Si(100)、熔融石英上外延生長AlN薄膜,主要考察了沉積溫度和工作氣壓對薄膜結(jié)構(gòu)性能等的影響.并且

2、利用盧瑟福背散射分析(RBS)、原子力顯微鏡(AFM)、透射電子顯微鏡(TEM)、X射線衍射(XRD)、反射高能電子衍射(RHEED)、傅立葉紅外吸收譜(FTIR)和橢偏儀等分析方法對薄膜的表面形貌、組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行了檢測與分析;通過AlN薄膜在可見光范圍內(nèi)的吸收光譜、掃描電鏡(SEM)研究了石英襯底上AlN薄膜的折射率、膜厚、能帶寬度等光學(xué)特性;通過對射頻反應(yīng)磁控濺射制備AlN薄膜的等離子體氣氛進(jìn)行了原子發(fā)光光譜分析,提出一種新的光譜譜線