CuO2平面外非磁性雜質(zhì)對(duì)銅氧化物高溫超導(dǎo)體物理性質(zhì)影響的理論研究.pdf

1、近年來(lái),關(guān)于銅氧化物高溫超導(dǎo)材料物理性質(zhì)受到雜質(zhì)影響的研究,逐漸成為高溫超導(dǎo)機(jī)理研究的熱點(diǎn)之一。本文對(duì)銅氧化物高溫超導(dǎo)材料中摻入的位于CuO2平面外的單個(gè)非磁性雜質(zhì)和CuO2平面內(nèi)的兩個(gè)非磁性雜質(zhì)對(duì)系統(tǒng)電子局域態(tài)密度及相關(guān)物理性質(zhì)的影響進(jìn)行了較為系統(tǒng)地研究。方法是從t-J-U模型出發(fā),利用Gutzwiller平均場(chǎng)近似和Bogoliubov-deGennes(BdG)理論。
　　 在第二章里我們首先介紹了可以有效描述CuO2平面

2、內(nèi)基本物理過(guò)程的理論模型,并介紹了可以較好地處理電子強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系問(wèn)題的Gutzwiller近似理論以及研究非均勻系統(tǒng)的BdG方程。
　　 在第三章里我們應(yīng)用Gutzwiller近似理論和BdG方程討論了位于CuO2平面外的單個(gè)非磁性雜質(zhì)對(duì)銅氧化物高溫超導(dǎo)材料電子局域態(tài)密度的影響:從t-J-U模型出發(fā)討論了在不同摻雜濃度時(shí)位于CuO2平面外的單個(gè)非磁性雜質(zhì)對(duì)系統(tǒng)電子局域態(tài)密度的影響。結(jié)果我們發(fā)現(xiàn),在遠(yuǎn)離雜質(zhì)點(diǎn)處電子局域態(tài)密度呈現(xiàn)出典

3、型的非對(duì)稱性,在雜質(zhì)點(diǎn)附近平面外的非磁性雜質(zhì)使超導(dǎo)能隙變小,但是并沒有明顯破壞超導(dǎo)。而在雜質(zhì)點(diǎn)附近由于平面外的雜質(zhì)勢(shì)沒有被有效屏蔽而導(dǎo)致CuO2平面內(nèi)電子的分布在納米尺度上存在著明顯的不均勻性。
　　 在第四章我們應(yīng)用Gutzwiller近似理論和BdG方程討論了位于CuO2平面內(nèi)的兩個(gè)非磁性雜質(zhì)對(duì)系統(tǒng)電子局域態(tài)密度及相關(guān)物理性質(zhì)的影響。我們發(fā)現(xiàn),在遠(yuǎn)離雜質(zhì)點(diǎn)的位置,電子局域態(tài)密度和電子分布等物理量依然保持均勻系統(tǒng)時(shí)的結(jié)果;當(dāng)摻