非磁性雜質(zhì)對(duì)銅氧化物高溫超導(dǎo)體物理性質(zhì)影響的理論研究.pdf

1、雜質(zhì)對(duì)銅氧化物高溫超導(dǎo)材料物理性質(zhì)的影響的研究是高溫超導(dǎo)機(jī)理研究的熱點(diǎn)之一。本文從t-J-U模型出發(fā)．利用Gutzwiller平均場(chǎng)近似和Bogoliubov-de Gennes(BdG)理論對(duì)銅氧化物高溫超導(dǎo)材料中摻入的單個(gè)和多個(gè)非磁性雜質(zhì)對(duì)系統(tǒng)電子局域態(tài)密度及相關(guān)物理性質(zhì)的影響進(jìn)行了較為系統(tǒng)的研究。
　　 我們?cè)诘诙吕锖?jiǎn)單介紹了可以有效描述Cu02平面內(nèi)基本物理過程的t-J-U模型，并介紹了可以較好地處理電子強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系問題

2、的Gutzwiller近似理論以及研究非均勻系統(tǒng)的BdG方程。
　　 應(yīng)用Gutzwiller近似理論和BdG方程我們?cè)诘谌吕镉懻摿藛蝹€(gè)非磁性雜質(zhì)對(duì)銅氧化物高溫超導(dǎo)材料電子局域態(tài)密度的影響：從t-J-U模型出發(fā)討論了在不同摻雜濃度時(shí)單個(gè)非磁性雜質(zhì)對(duì)系統(tǒng)電子局域態(tài)密度的影響。結(jié)果我們發(fā)現(xiàn)，隨著摻雜濃度和非磁性雜質(zhì)勢(shì)的不斷增大，在非磁性雜質(zhì)附近，超導(dǎo)相干峰受到的抑制越來越強(qiáng)，并且在零能點(diǎn)逐漸出現(xiàn)零能峰，零能峰的強(qiáng)度也隨著摻雜濃度的

3、增大而增大。在遠(yuǎn)離雜質(zhì)點(diǎn)處，電子局域態(tài)密度和電子分布等物理量依然保持均勻系統(tǒng)時(shí)的結(jié)果。
　　 在第四章我們應(yīng)用Gutzwiller近似理論和BdG方程討論了多個(gè)非磁性雜質(zhì)對(duì)銅氧化物高溫超導(dǎo)材料電子局域態(tài)密度及相關(guān)物理性質(zhì)的影響。我們首先討論了三個(gè)以及四個(gè)雜質(zhì)的情況。我們發(fā)現(xiàn)，雜質(zhì)數(shù)目的增加導(dǎo)致雜質(zhì)影響的范圍擴(kuò)大。而在五個(gè)雜質(zhì)對(duì)稱分布的情況下，I類雜質(zhì)分布密集，發(fā)現(xiàn)在雜質(zhì)周圍超導(dǎo)相干峰受到非常強(qiáng)烈的抑制，且零能峰的強(qiáng)度異常突出。I