Ka波段高集成度矢量調(diào)制器芯片研制及產(chǎn)生渦旋電磁波陣天線設(shè)計(jì).pdf

1、單片微波集成電路具有體積小、質(zhì)量輕，穩(wěn)定性高，可批量生產(chǎn)等特點(diǎn)，在微波毫米波領(lǐng)域已得到越來越廣泛的應(yīng)用，特別是軍事國防方面，具有重大的戰(zhàn)略意義。隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，無論從軍事上還是在民用上都離不開現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)，射頻通信系統(tǒng)作為其中必不可少的一部分，其中的部件性能優(yōu)異程度變得尤為重要。相比于傳統(tǒng)的幅相調(diào)制系統(tǒng)，矢量調(diào)制器作為一種可直接對(duì)載波進(jìn)行幅度及相位調(diào)制的新型電路，特別是在微波毫米波頻段，具有極大的優(yōu)勢(shì)并發(fā)揮著越來越重要的作用

2、。
　　本文基于WIN工藝廠商所提供的0.15μm GaAs pHEMT工藝，集成功分器、耦合器及有源器件pHEMT，在Ka波段進(jìn)行了單片矢量調(diào)制器研究設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)主要針對(duì)毫米波相控陣等小型化系統(tǒng)，實(shí)際研制的MMIC矢量調(diào)制芯片首次在一塊極小的MMIC芯片上集成四路反射式矢量調(diào)制電路，具有單輸入多輸出功能，高集成度，高性能等特點(diǎn)，所研制的芯片經(jīng)流片后進(jìn)行測(cè)試評(píng)估，測(cè)試結(jié)果基本達(dá)到預(yù)期目標(biāo)要求，表明該研究切實(shí)可行并提出了相應(yīng)改進(jìn)方案。