GaAs基單片集成平衡i-Q矢量調(diào)制器研制.pdf

1、隨著現(xiàn)代通信系統(tǒng)的發(fā)展，微波矢量調(diào)制器從20世紀80年代開始研究至今，已在各種微波通信中發(fā)揮著越來越重要的作用，目前國外的技術(shù)已相當(dāng)成熟。從本世紀初開始國內(nèi)開始了該領(lǐng)域的研究工作，并公開報道了一些混合式矢量調(diào)制器的文獻報道，單片集成平衡矢量調(diào)制器的研制正在起步階段。因此本文的工作具有很強的創(chuàng)新性，主要體現(xiàn)在以下:本文在國內(nèi)原有的混合基礎(chǔ)上首次應(yīng)用單片工藝平臺針對性的對單片集成矢量調(diào)制器的電路開展研究工作，并設(shè)計及做了一定實驗工作。本文在

2、GaAs基片上集成了功分器、耦合器以及有源器件FET，從而實現(xiàn)矢量調(diào)制器集成方案。本文是針對目前毫米波頻段相控陣等系統(tǒng)的小型化應(yīng)用而提出的芯片集成MMIC技術(shù)方案，利用國內(nèi)的GaAs工藝平臺集成電路，實現(xiàn)毫米波頻段的矢量調(diào)制器。
　　 本文通過對比各類矢量調(diào)制器的特點及其相關(guān)工作原理，選擇在GaAsPHEMT異質(zhì)結(jié)材料上采用MMIC技術(shù)方案制作單片集成平衡I—Q矢量調(diào)制器的方案，工作頻段為30-40GHz。本文將從以下幾個方面進

3、行研究闡述:
　　 1.介紹在各類現(xiàn)代通信系統(tǒng)中矢量調(diào)制器發(fā)揮的的作用以及目前國內(nèi)外對調(diào)制器的研究現(xiàn)狀。同時介紹了各種不同種類的調(diào)制器的工作原理。
　　 2.詳細論述了平衡I-Q矢量調(diào)制器的理論基礎(chǔ)，并介紹了采用單片集成的矢量調(diào)制器，并給出仿真結(jié)果。
　　 3.利用GaAs工藝平臺在GaAs襯底上實現(xiàn)單片集成平衡I-O矢量調(diào)制器，其中控制元件為PHEMT開關(guān)管芯。
　　 4.簡單介紹矢量調(diào)制器加工工藝，測