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文檔簡介
1、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)是毫米波、微波應(yīng)用領(lǐng)域中最重要的器件之一,其中砷化鎵(GaAs)HBT具有更好的高頻特性、絕緣性能以及更高的電流增益。本文主要對基于GaAs HBT器件Ka波段的I／Q調(diào)制器進行了研究。
首先對Ka頻段基于吉爾伯特單元混頻器結(jié)構(gòu)的I／Q調(diào)制器完成了簡單的設(shè)計以及仿真,其中本振抑制度為27.7dB左右,邊帶抑制度為26.6dB左右。
本文的主要工作,完成了Ka頻段基于GaAs HBT器
2、件的模擬反射型I／Q矢量調(diào)制電路的設(shè)計以及仿真。其中包括對冷模HBT器件在不同偏置條件下器件特性的變化、Ka頻段的Lange耦合器、Ka頻段的威爾金森功率分配器以及對I／Q調(diào)制中的BPSK調(diào)制器和QPSK調(diào)制器都進行了詳細的設(shè)計和分析。本矢量調(diào)制器的載波抑制大約為25.6dB,邊帶抑制大約為27dB。
本文最后在I／Q矢量調(diào)制電路基礎(chǔ)上進一步提出了一種新的電路結(jié)構(gòu),通過對原有電路結(jié)構(gòu)的改進在不影響電路功能的前提下節(jié)省了大量
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