NiO薄膜的制備及其摻雜技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、NiO是一種二元的寬禁帶的透明氧化物半導(dǎo)體薄膜，室溫下NiO薄膜的禁帶寬度為3.6-4.0eV。雖然比目前研究廣泛的透明半導(dǎo)體材料ZnO大一點點，但是仍不能實現(xiàn)“太陽盲”探測。為了改變NiO薄膜的禁帶寬度，我們就要對NiO薄膜進行適當(dāng)?shù)膿诫s，使得NiO薄膜的帶隙向太陽盲波段4.43eV(4.43eV～280nm)靠近。因此，本論文采用射頻磁控濺射的方法制備NiO薄膜，然后通過選擇適當(dāng)?shù)脑?，對NiO薄膜進行摻雜，使得其帶隙位于“太陽盲”

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