2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO是一種具有良好光電性能的半導體材料,其在眾多領域都有很廣泛的應用前景。Al摻雜ZnO(AZO)透明導電薄膜,是ZnO領域的一個研究熱點。AZO具有良好的透光性、高電導率及其價格低廉、來源豐富、無毒等優(yōu)點,是最有希望代替ITO薄膜的TCO材料。
  在本論文中,我們利用脈沖激光沉積技術,在c面藍寶石和石英基片上制備了一系列AZO薄膜。通過原子力顯微鏡、X射線衍射、透射光譜及四探針電阻測量技術,對薄膜表面形貌、結(jié)晶質(zhì)量、光學性能

2、及電學性能進行了表征,研究了沉積溫度和氧氣壓力對AZO薄膜生長和光電特性的影響。主要研究成果如下:
  (1)隨著溫度的升高,AZO薄膜的晶粒尺寸逐漸變大。在800℃時,薄膜粗糙度略有增加,但仍然屬于原子級平滑。所有樣品均為c軸取向,與藍寶石基片有著很好的外延關系,并且隨著溫度的提高,薄膜的結(jié)晶質(zhì)量有很大的提高。薄膜的紫外吸收邊存在一定的差異,其光學帶隙隨著沉積溫度的增加而逐漸減小。薄膜的透光性很好,特別是在800℃下制備的樣品,

3、其在可見光區(qū)域的平均透射率高達95%。隨著生長溫度的提高,薄膜的電阻率有所上升,但是800℃下制備的AZO薄膜電阻率依然處在較低的水品。
  (2)在800℃的高溫下,隨著氧分壓的提高,薄膜晶粒尺寸逐漸變大,表面粗糙度逐漸變大,但相對而言,還是較為平整,屬于原子級平滑。所有樣品也均為c軸取向,并與藍寶石基片之間有良好的外延關系。薄膜的結(jié)晶質(zhì)量在氧分壓為0.1 Pa時最好。薄膜的紫外吸收邊受氧分壓的影響很小。所有樣品在可見光區(qū)域都具

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