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1、PREPARATlONoFALDoPEDZNoFlLMSBYSOLGELMETHODANDSTUDYoFTHEIRPRoPERTIESAbstractTransparentconductiveoxidethinfilmsexhibitlowresistivityandhightransmittanceinthevisiblelightrangeItwaswidelyappliedtovariousdevicesincludingsola
2、rcell,liquidcrystaldisplayastransparentandconductiveoxideelectrodesTransparentconductiveoxidethinfilmsmainlyincludeSB02,In203,ZnOandtheirdopedsystemZnOthinfilmshaverecentlygainedmuchattentionduetotheirgoodpiezoelectric,p
3、hotoelectric,gassensitivityandstresssensitivitybehaviorsTheA13dopedZnO(AZO)thinfilmshavebecomeoneofthefocusesresearchbecauseofitsexcellentopticalandelectricalpropertiesInthispaper,theA1’dopedZnOthinfilmsweredepositedongl
4、asssubstratesbysolgelmethodThecrystalstructure,transmittanceandresistivityofthinfilmsweremainlyresearchedwithdifferentdopantconcentration(1at%一12at%),annealingtemperaturesandatmospheresTherangeofannealingtemperatureswere
5、from400℃to600℃andtheannealingatmosphereswereairH2andAtXraydiffraction(XRD),scanningelectronmicroscope(SEM),X—rayphotoelectronspectroscopy(xPs),spectrophotometerandfourpointprobemethodswereemployedtocharacterizeandanalyze
6、thefilmsTheresultsshowedthatAZOthinfilmspreparedbysolgelmethodhavepolyerystallinehexagonalwurtzitestructureThethinfilmsannealedat500“CintheairhavethestrongestpreferredorientationTheconductivityofthefilmscanbeimprovedwith
7、differentdopantconcentration(1at%一l2at%)Andtheminimumresistivityisobtainedwithdopantconcentration2at%TheannealingtemperaturesandatmospheresaffecttheresistivitysignificantlyIntheair,theminimumresistivityof51810“Qcmisobtai
8、nedat500℃asthefilmdopedwith2at%Afterannealingindifferentatmospheresat500“C,thefilmsannealinginH2haveminimumresistivityof223810“Q‘cmAnnealingtemperaturesandatmosphereshavelittleinfluenceonthetransmittanceofAZOthinsfilmsAv
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