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文檔簡介
1、摻錫氧化銦(ITO)薄膜材料是一種錫摻雜的半導體材料，其優(yōu)良的光電性能被廣泛的應用于透明導電膜的制備中。目前其應用主要是采用濺射法與真空沉積法直接沉積在襯底材料上形成功能性的薄膜，從經濟效益上看，這種制備工藝限制了ITO薄膜的應用。本課題是以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O為主要原料，采用溶膠-凝膠法和旋轉涂膜工藝，在玻璃基片上制備摻錫氧化銦透明導電薄膜(ITO)。采用X-射線粉末衍射、紫外-可見透射光譜和四探針技術，研究了在
2、空氣和氮氣氣氛中，不同摻Sn量、不同熱處理溫度和熱處理時間對薄膜的微結構、光學和電學性能的影響，并用原子力顯微鏡探測了薄膜的形貌。 對通過無機鹽法制備的薄膜進行分析測試，X-射線衍射結果表明：在摻雜過程中Sn4+離子代替了In3+離予的位置而生成具有立方In2O3鐵錳礦結構固體。通過原子力顯微鏡觀察可知ITO溥膜是由直徑大小不同的納米顆粒組成的。 薄膜的最佳工藝條件為：摻Sn量11％，熱處理溫度480℃，熱處理時間60m
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