過(guò)渡金屬摻雜AlN薄膜的制備及其特性研究.pdf

1、稀磁半導(dǎo)體由于在自旋電子學(xué)設(shè)備上的潛在應(yīng)用,已經(jīng)受到科研工作者的廣泛關(guān)注,但這類半導(dǎo)體的磁性來(lái)源一直是目前爭(zhēng)議的焦點(diǎn),因此有必要進(jìn)一步研究。氮化鋁薄膜是直接帶隙寬禁帶Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體化合物,具有優(yōu)異的光電特性,因此AlN薄膜的過(guò)渡金屬摻雜研究,在基礎(chǔ)理論和實(shí)際應(yīng)用方面都具有重要的意義。
　　本文采用射頻,直流磁控共濺射的方法,通過(guò)控制工作壓強(qiáng),工作電流等實(shí)驗(yàn)參數(shù),在Si（100）基底上沉積了過(guò)渡金屬摻雜氮化鋁薄膜。
　　利用X

2、射線衍射（XRD）和拉曼散射光譜對(duì)氮化鋁薄膜的擇優(yōu)生長(zhǎng)取向,結(jié)晶特性進(jìn)行了表征。首先,得到了在（100）方向上擇優(yōu)生長(zhǎng)氮化鋁薄膜樣品,然后進(jìn)行非磁性過(guò)渡金屬鈦、鋅對(duì)氮化鋁薄膜的摻雜,以及磁性金屬鐵、錳對(duì)氮化鋁薄膜的的摻雜。發(fā)現(xiàn)過(guò)渡金屬鈦和鐵摻雜的氮化鋁薄膜在（100）方向擇優(yōu)生長(zhǎng),鋅和錳摻雜的氮化鋁薄膜在（002）方向上擇優(yōu)生長(zhǎng),并且所有樣品具有良好的結(jié)晶性。XRD圖譜表明,錳摻雜的氮化鋁薄膜顯現(xiàn)出Mn雜質(zhì)的衍射峰,表明Mn沒(méi)有完全摻雜

3、到晶格中去。
　　利用掃描電子顯微鏡（SEM）對(duì)鈦、鋅摻雜氮化鋁薄膜進(jìn)行表面形貌的表征。觀察到摻雜的薄膜表面結(jié)構(gòu)致密,具有良好的均勻性,說(shuō)明我們得到了具有良好結(jié)晶性的薄膜。并對(duì)Zn摻雜薄膜進(jìn)行了原子濃度的測(cè)量,隨著鋅靶濺射電流的增加,氮化鋁薄膜中鋅的原子濃度逐漸降低。
　　利用震動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)（VSM）在室溫下對(duì)錳、鐵摻雜氮化鋁薄膜進(jìn)行磁性表征。由于Mn沒(méi)有完全摻雜到晶格中去,錳摻雜氮化鋁薄膜的磁性表現(xiàn)出順磁性。鐵摻雜氮化鋁薄