電阻型存儲器件的設(shè)計(jì),制作及表征.pdf

1、存儲器是電子產(chǎn)品中不可或缺的組成部分，而傳統(tǒng)的浮柵結(jié)構(gòu)非揮發(fā)性存儲器將在不遠(yuǎn)的將來迎來技術(shù)和物理上的極限。近年來，提出了一些新的材料和結(jié)構(gòu)來解決這一問題，電阻型存儲器就是其中之一。電阻型存儲器（RRAM）在金屬-絕緣介質(zhì)-金屬（MIM）的三層結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，利用介質(zhì)層的電阻開關(guān)現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性存儲，具有結(jié)構(gòu)簡單、工作電壓低、低功耗、傳感電路簡單以及適于高密度陣列等優(yōu)勢。
　　在本文中，制備并測試了基于NiO薄膜的電阻型存儲器件，

2、其高低阻態(tài)擁有大于三個數(shù)量級的電阻值區(qū)別。從低阻態(tài)到高阻態(tài)和從高阻態(tài)到低阻態(tài)所需的電壓分別分布在1.2V到3.3V和0.5V到0.9V。對器件進(jìn)行超過100次的反復(fù)擦寫操作以及超過10000s的數(shù)據(jù)保持能力測試后仍有大于三個數(shù)量級的電阻窗口，顯示出良好的耐擦寫能力和數(shù)據(jù)保持能力。
　　測試了基于NiO薄膜的電阻型存儲器件的電阻開關(guān)特性，發(fā)現(xiàn)從低阻態(tài)到高阻態(tài)的過程中器件對電壓有明顯的選擇性。另外無論是能否發(fā)生reset過程，均發(fā)現(xiàn)了