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1、隨著信息技術(shù)在人們生活中的廣泛應(yīng)用,數(shù)據(jù)的高效存儲(chǔ)成為了制約信息技術(shù)發(fā)展的重要瓶頸。傳統(tǒng)的無機(jī)半導(dǎo)體材料由于其自身尺寸的限制,逐漸已經(jīng)無法滿足人們的日常需求。有機(jī)電存儲(chǔ)材料由于其工藝簡(jiǎn)單、結(jié)構(gòu)可設(shè)計(jì)、生產(chǎn)成本低等優(yōu)點(diǎn)有望成為信息存儲(chǔ)技術(shù)的主要載體。然而,目前的電存儲(chǔ)器件研究中,通過單一的分子設(shè)計(jì)手段對(duì)器件性能改善程度有限,無法達(dá)到實(shí)際應(yīng)用的要求,需要多種手段綜合運(yùn)用提高器件性能。另一方面,在有機(jī)光電領(lǐng)域,界面調(diào)控在增強(qiáng)器件性能方面效果顯
2、著,得到了廣泛研究。遺憾的是,該技術(shù)尚未在有機(jī)電存儲(chǔ)領(lǐng)域得到應(yīng)用。本文率先從界面調(diào)控的角度入手,通過對(duì)有機(jī)電存儲(chǔ)器件中底電極/功能層界面、功能層內(nèi)晶疇/晶疇界面、功能層/頂電極界面的調(diào)控,初步探究界面調(diào)控對(duì)有機(jī)電存儲(chǔ)器件性能的影響。研究?jī)?nèi)容主要從以下三個(gè)方面展開:
?。?)ITO基底與有機(jī)分子層界面對(duì)有機(jī)電存儲(chǔ)器件性能的影響:設(shè)計(jì)合成了具有雙電荷陷阱的有機(jī)共軛小分子PTZ-PTZO-CN,基于該分子進(jìn)行器件制備。通過在ITO基底
3、表面引入膦酸衍生物進(jìn)行修飾,利用膦酸衍生物具備的功能基團(tuán)改變基底/功能層界面。界面調(diào)控有效降低了器件的開啟電壓,使得器件在有效電壓內(nèi)三進(jìn)制穩(wěn)定性得到了極大的提高。通過XRD和GISRAX的表征,發(fā)現(xiàn)這樣的改變是由于在ITO基底引入膦酸衍生物后,由于膦酸衍生物所具有的功能基團(tuán),改變了基底/功能層界面,對(duì)功能層有機(jī)共軛小分子的堆積產(chǎn)生誘導(dǎo)作用,改善了有機(jī)共軛小分子在薄膜內(nèi)部的堆積,提高了載流子遷移率,最終降低了開啟電壓。通過研究,證實(shí)了隨著
4、基底/功能層界面的調(diào)控,能夠影響電存儲(chǔ)器件中功能層的堆積,對(duì)有機(jī)電存儲(chǔ)器件的重現(xiàn)性產(chǎn)生較大的影響,為今后設(shè)計(jì)低能耗、更可靠的多進(jìn)制存儲(chǔ)器件提供參考。
?。?)功能層中晶疇/晶疇界面對(duì)器件性能的影響:通過對(duì)苯環(huán)取代基位置的調(diào)節(jié),設(shè)計(jì)合成了一組位置異構(gòu)分子α-PBT和β-PBT,改變功能層中分子晶粒尺寸,調(diào)節(jié)功能層中有機(jī)共軛小分子的晶疇/晶疇界面。將這兩個(gè)化合物分別制成三明治結(jié)構(gòu)的薄膜器件進(jìn)行電存儲(chǔ)性能測(cè)試,發(fā)現(xiàn)兩個(gè)分子器件均表現(xiàn)出
5、二進(jìn)制非易失性(WORM)性能,但是他們的開啟電壓存在較大的差異。通過測(cè)試發(fā)現(xiàn),隨著分子中苯環(huán)取代基位置的改變,兩個(gè)分子的空間構(gòu)型發(fā)生了變化,使得分子薄膜內(nèi)的結(jié)晶方式發(fā)生了改變,最終對(duì)兩個(gè)分子薄膜中的晶粒尺寸產(chǎn)生了影響。β-PBT分子的晶粒明顯比α-PBT分子的晶粒大,在相同距離下,晶粒大的分子其晶界數(shù)量更少,使得載流子傳輸更易,器件開啟電壓降低。這說明在有機(jī)電存儲(chǔ)器件中,有機(jī)共軛小分子的晶疇/晶疇界面勢(shì)能極大地影響著器件性能。調(diào)控功能
6、層有機(jī)共軛小分子晶疇/晶疇界面,對(duì)降低器件能耗具有重要作用,為后續(xù)設(shè)計(jì)低能耗高性能的存儲(chǔ)器件提供參考。
?。?)功能層/頂電極界面對(duì)有機(jī)電存儲(chǔ)器件性能的影響:設(shè)計(jì)合成了兩個(gè)以吩噻嗪和三苯胺為骨架的donor-accepter-donor(D-A-D)結(jié)構(gòu)的有機(jī)共軛小分子,通過對(duì)吩噻嗪基團(tuán)中的硫原子進(jìn)行不同程度的氧化,來比較功能層薄膜表面形貌及電存儲(chǔ)性能的差異。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明吩噻嗪基團(tuán)中的砜基相比于亞砜基團(tuán)的吸電子能力明顯增強(qiáng),同樣
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