VCM型阻變存儲器機理及仿真研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來,在便攜電子產(chǎn)品推動下,作為主流存儲器件技術的FLASH技術受到了越來越大的挑戰(zhàn)。雖然摩爾定律還能夠預測目前半導體工藝的發(fā)展,但是22nm的工藝水平已經(jīng)很難在繼續(xù)減小下去,FLASH技術的存儲器越來越難滿足人們的需求了。這時人們不得不找尋新的技術方法來滿足我們對于存儲設備的要求。在眾多的新型非揮發(fā)性存儲器中,阻變式存儲器(RRAM)因具有簡單的結構、可高密度集成、較小的編程電流、低功耗、高速度讀寫能力以及與目前傳統(tǒng)的CMOS工藝兼

2、容性好等優(yōu)點,被認為是最有希望的下一代非揮發(fā)性存儲設備。通過電壓激勵,RRAM存儲器件單元的電阻能夠實現(xiàn)高阻態(tài)與低阻態(tài)的轉換,實現(xiàn)數(shù)字“1”和“0”的存儲。目前科學家們主要研究二元金屬氧化物基的阻變存儲設備,這是因為這種材料的結構簡單以及制作簡單,逐漸成為新型存儲器領域的的主要研究材料。
　　本文首先介紹了RRAM阻變存儲器基本原理和研究現(xiàn)狀,并根據(jù)RRAM研究的相關機理,提出用數(shù)學公式與建模仿真相結合的方法,對幾種不同類型的RR

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