高速IGBT及IGBT抗閂鎖性能優(yōu)化.pdf

1、文章從技術(shù)發(fā)展角度總結(jié)了IGBT發(fā)明初期的發(fā)展歷史，比較全面的介紹了動(dòng)態(tài)控制 IGBT陽(yáng)極發(fā)射結(jié)的研究進(jìn)展與現(xiàn)狀，并列舉了目前比較常見(jiàn)的能提高IGBT抗閂鎖能力的設(shè)計(jì)方法。
　　采用MEDICI電路仿真功能模擬研究基于陳星弼教授的專利--一種高速IGBT[27]而設(shè)計(jì)的兩種高速 IGBT結(jié)構(gòu)。利用專利中給出的技術(shù)所設(shè)計(jì)的高速IGBT，在開(kāi)關(guān)過(guò)程中依靠獨(dú)特的終端設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，能在內(nèi)部生成合適的階躍信號(hào)（階躍電平）并反饋給陽(yáng)極控制端，以此

2、達(dá)到動(dòng)態(tài)控制陽(yáng)極發(fā)射結(jié)的短路與開(kāi)路，不需要低壓電源。結(jié)果顯示，高速IGBT不但能完全消除拖尾電流，并且使IGBT關(guān)斷時(shí)的下降時(shí)間由18?s，變?yōu)?.8?s。電流大小相同時(shí)，高速IGBT導(dǎo)通壓降為1.40V比普通IGBT的1.35V略有提升。
　　研究了一種新的IGBT發(fā)射極元胞并給出其設(shè)計(jì)方法。該元胞在不影響單位面積有效溝道寬度的情況下，將P+與N+并排垂直于溝道一側(cè)放置以縮短空穴路徑。與傳統(tǒng)采用深 P+注入的抗閂鎖方法相比，經(jīng)過(guò)