鈦酸鍶壓敏復合功能材料的摻雜改性研究.pdf

1、本論文敘述了SrTiO3壓敏復合功能陶瓷的國內外研究進展、性能特點、具體應用及基礎理論，實驗采用固相燒結法研究了不同的摻雜對鈦酸鍶壓敏電阻的性能影響，并且分析和探討了相關實驗的現(xiàn)象和規(guī)律。實驗結果表明：
　　 (1)Ti/Sr對SrTiO3復合功能陶瓷電性能的影響較大，Ti/Sr為1.02時SrTiO3復合功能陶瓷的電性能較好，相對于其它的配比，此配比獲得了最好的半導化水平；樣品裂紋、分層現(xiàn)象和表面氣孔較少，微觀分析說明適當?shù)腡

2、i/Sr能促使晶粒長大；
　　 (2)相對于La2O3或Nb2O5單施主摻雜，雙施主摻雜可獲得更好的半導化水平，且當La2O3和Nb2O5的摻雜量都為0.5mol％時，SrTiO3復合功能陶瓷獲得較好的介電常數(shù)和電阻率。
　　 (3)真空氣氛下高溫燒成的SrTiO3陶瓷經(jīng)空氣中氧化熱處理后，Mn2+、Cu2+受主型離子的摻入不影響晶粒的半導化，只對晶界電學特性產生影響；在相同的摻雜濃度、工藝條件下，摻Mn樣品的晶粒粒徑小

3、于摻Cu樣品，在同樣的制備工藝和摻雜濃度下，與摻MnCO3樣品相比，摻CuO樣品具有較高的表觀介電常數(shù)。
　　 (4)在研究燒結助劑的過程中，通過改變燒結溫度進行試驗表明摻雜SiO2、Li2CO3都能降低燒結溫度，比較SiO2和Li2CO3燒結助劑對樣品電性能的影響，摻Li2CO3樣品的整體電性能水平不及摻SiO2樣品，晶界較厚壓敏電壓過高；優(yōu)化的SiO2摻雜量為0.6mol％，此時晶粒大小均勻，樣品晶粒結構致密化。本次實驗在1