基于BDD的抗壞血酸氧化酶傳感器的制備與性能研究.pdf

1、本論文以金剛石薄膜、生物傳感器、化學修飾電極為理論基礎，將摻硼金剛石(BDD)薄膜優(yōu)異的性質和酶的催化能力結合起來，以BDD薄膜電極為基底，分別采用共價鍵合/交聯(lián)法、包埋法、電化學聚合法把抗壞血酸氧化酶修飾于BDD薄膜電極表面，制得抗壞血酸氧化酶生物傳感器電極。利用循環(huán)伏安法對三種電極的電化學性能進行測定和表征，對比分析三者對抗壞血酸的檢測效果。較未修飾的BDD薄膜電極，修飾后的電極峰電流增大且峰電位減小，表明經(jīng)化學修飾后，該電極降低了

2、檢測抗壞血酸的過電位，靈敏度提高，最高檢測限達1×10-11 mol/L。
　　共價鍵合/交聯(lián)法通過酰胺鍵的連接使抗壞血酸氧化酶固定在氨基化的金剛石表面，修飾劑接著牢固，電極可洗滌、浸泡，導電性、反復性優(yōu)于電化學聚合型和包埋型修飾電極，檢測限為1×10-10mol/L。包埋法將含酶的殼聚糖溶液涂覆在電極表面，含酶的溶質涂層干燥后形成殼聚糖酶膜。該電極制備簡單，但穩(wěn)定性和反復性較電化學聚合型、共價鍵合/交聯(lián)型電極差，檢測限為1×10