切割單晶及多晶硅片表面層損傷研究.pdf

1、硅片是集成電路(IC)、半導體分立器件以及光伏太陽能電池制造過程中最常用的基礎材料。在制作半導體和太陽能電池中用到的最主要的材料都是單晶硅和多晶硅。多晶硅是生產單晶硅的直接原料，兩者在具有半導體特性的同時，也在物理特性及其他方面表現(xiàn)出一些差異。在太陽能利用上，單晶硅和多晶硅發(fā)揮了很大的作用。隨著硅片尺寸的逐漸增大以及光伏產業(yè)的迅猛發(fā)展，對硅片表面層質量的要求也日益提高。切片是硅片制造過程中的一個重要工序，切割加工會不可避免地給硅片帶來表

2、面層損傷，該損傷會影響到后續(xù)工序的加工時間、加工效率以及成本。為了降低生產成本，提高轉換效率，擁有更大的消費市場，研究單晶硅和多晶硅在切片過程中產生的亞表層損傷深度及裂紋特征對后續(xù)加工以及光伏產業(yè)的發(fā)展具有重要的指導意義。
　　本文研究了線鋸切割硅片的亞表面損傷檢測方法，用截面顯微觀測法和角度截面顯微觀測法檢測了線鋸切割硅片的亞表面損傷和裂紋類型，分析了固結磨料線鋸切割單晶硅片(Fixed Abrasive Sawed Monoc

3、rystalline Wafer，F(xiàn)AS-MW)，游離磨料線鋸切割單晶硅片(Loose Abrasive Sawed Monocrystalline Wafer，LAS-MW)以及游離磨料線鋸切割多晶硅片(Loose Abrasive Sawed Polycrystalline Wafer，LAS-PW)的表面粗糙度、表面形貌、亞表面損傷深度和亞表面損傷微裂紋的分布規(guī)律。試驗結果表明，同樣的加工條件下，F(xiàn)AS-MW的亞表面損傷深度最大值