動態(tài)偏置下ET功放的非線性特性研究.pdf

1、ET功放通過動態(tài)調節(jié)功放偏壓,可以有效提高功放整體效率。效率提升的同時,ET功放的非線性特性與固定偏置的功放相比將存在差異。因此本文首先研究了動態(tài)偏置條件下ET功放的非線性特性,進而研究了ET功放的建模,并通過仿真驗證了基于記憶多項式的ET功放數(shù)字預失真算法。
　　首先,本文介紹了FET的電熱模型,分析了固定偏置下功放的非線性來源,記憶效應的產生機理,在物理模型層面對動態(tài)偏置下的ET功放非線性特性進行了研究。從ET功放的輸入輸出阻

2、抗變化入手,分別分析了大功率放大器和小功率放大器的AM-AM和AM-PM失真。研究了信號帶寬對記憶效應的影響,以及ET功放的輸入信號和偏壓信號的時延對功放輸出帶來的非線性影響;同時研究了一種基于信號功率概率密度來設計ET功放的方法。
　　其次,本文研究了ET功放的包絡成形函數(shù)。以大功率放大器為例,對比分析了固定增益,固定壓縮點和最大效率三種包絡成形條件下ET功放的效率和線性度等特性,發(fā)現(xiàn)固定增益條件下的ET功放具有最佳的線性度和較

3、高的效率,是三者中最佳的設計方案。同時研究了一種降低偏壓信號帶寬的方法,并對比分析了降帶寬前后ET功放的特性。
　　最后,本文仿真驗證了ET功放的建模和數(shù)字預失真。分別對小功率放大器和大功率放大器,使用傳統(tǒng)記憶多項式和神經網絡進行了建模分析,在傳統(tǒng)記憶多項式的基礎上,研究了一種改進的記憶多項式模型,對比了三種模型下的建模精度和復雜度。改進的記憶多項式模型相比傳統(tǒng)記憶多項式模型,精度NMSE提高了4~7dB。在5MHz帶寬的LTE信