陶瓷元件賤金屬電極全印制制備工程化技術(shù)研究.pdf

1、陶瓷元件具有耐高溫、耐腐蝕和優(yōu)良的電、磁性能等優(yōu)點(diǎn)，在電子工業(yè)中應(yīng)用廣泛。其表面金屬化（引出電極制備）關(guān)系到元件電性能與穩(wěn)定性，是陶瓷元件制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。目前陶瓷元件電極的制備方法主要有直接敷銅法、燒滲法、噴涂法和物理氣相沉積法等，這些方法存在流程復(fù)雜、貴金屬用量大和成本較高等問題。針對(duì)上述不足，本文基于全印制工藝，研究了陶瓷元件賤金屬電極被覆技術(shù)，并對(duì)其工程化技術(shù)進(jìn)行了研究，主要研究內(nèi)容如下：
　　（1）研究了陶瓷元件賤金屬

2、電極的全印制制備技術(shù)：實(shí)驗(yàn)優(yōu)化了陶瓷基板的清洗、除油和粗化等預(yù)處理工藝；開發(fā)了一種工藝簡(jiǎn)單，活化效果良好，可運(yùn)用于工業(yè)化生產(chǎn)的可噴印觸發(fā)層制備技術(shù)，并優(yōu)化了可噴印觸發(fā)層油墨組分體系；優(yōu)化了以甲醛為還原劑的化學(xué)鍍銅液體系，走通了全印制陶瓷元件賤金屬電極制備工藝。
　?。?）通過數(shù)值模擬的方法對(duì)工程化技術(shù)的生產(chǎn)條件進(jìn)行了研究：采用Gambit軟件對(duì)工程化設(shè)備滾筒進(jìn)行了幾何建模，使用流體力學(xué)軟件FLUENT對(duì)滾筒內(nèi)液固兩相流進(jìn)行了二維和

3、三維的數(shù)值模擬。將滾筒轉(zhuǎn)速以及陶瓷基板和鋯球體積比分別設(shè)置為FLUENT的邊界條件和初始條件，通過觀測(cè)不同生產(chǎn)條件下滾筒內(nèi)部固相顆粒的分布規(guī)律，確定了優(yōu)化后的生產(chǎn)條件為：滾筒的轉(zhuǎn)速為40 rpm以及陶瓷基板與鋯球的體積比為1:2。
　?。?）結(jié)合陶瓷元件賤金屬電極的全印制制備技術(shù)和數(shù)值模擬中得到工程化技術(shù)的生產(chǎn)條件進(jìn)行了批量化實(shí)驗(yàn)。通過對(duì)鍍覆賤金屬電極后陶瓷元件的取樣分析，驗(yàn)證了數(shù)值模擬所得結(jié)果的可靠性以及陶瓷元件賤金屬電極全印制