三維堆疊封裝硅通孔熱機(jī)械可靠性分析.pdf

1、近年來(lái)，微電子行業(yè)快速發(fā)展，對(duì)于電子產(chǎn)品的封裝要求也越來(lái)越高，就促使封裝行業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)獲得進(jìn)一步改進(jìn)，其中硅通孔技術(shù)的出現(xiàn)將封裝業(yè)帶入了一個(gè)新的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，但是隨著尺寸的微細(xì)化，硅通孔技術(shù)作為一項(xiàng)新的技術(shù)，也存在很多問(wèn)題，考慮到封裝的疲勞和失效，其中對(duì)于三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)的熱可靠性分析成為了該項(xiàng)技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。為了避免封裝結(jié)構(gòu)關(guān)鍵部位在熱載荷的作用下發(fā)生熱變形失效，本文進(jìn)行了以下幾個(gè)方面的研究。
　　首先，研究了電鍍銅使用不同的材料屬性

2、參數(shù)，單個(gè)硅通孔在熱沖擊溫度載荷下的熱機(jī)械響應(yīng)。經(jīng)過(guò)多次有限元分析，得出兩者應(yīng)力大小和分布的不同，總結(jié)應(yīng)力大小分布發(fā)生的機(jī)理，進(jìn)一步研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)于單個(gè)硅通孔熱機(jī)械可靠性的影響。對(duì)比了相同結(jié)構(gòu)參數(shù)下單個(gè)硅通孔在二維模型和三維模型下的分析結(jié)果。經(jīng)過(guò)多次建模分析，得出了在兩種模型下，硅通孔的應(yīng)力大小和分布的相同點(diǎn)和不同點(diǎn)。
　　其次，用解析法和數(shù)值方法聯(lián)合研究二維俯視圖和軸向圖簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)的適用范圍，通過(guò)探究得出，芯片堆疊封裝用二維軸向