單片集成智能功率模塊ESD保護網絡模型研究.pdf

1、近年來，單片集成智能功率模塊(IPM)因其高集成度、高可靠性、低成本等優(yōu)點被廣泛地應用于家用電器、新能源交通等領域。單片集成IPM集成度高，管腳密集，受靜電泄放(ESD)沖擊的威脅大，因此需要一個復雜的ESD保護網絡為模塊的各個管腳提供ESD保護。模型作為元器件與電路設計之間的橋梁，能夠有效簡化電路設計，提高設計成功率，因此研究單片集成智能功率模塊ESD保護網絡模型，對指導ESD保護網絡設計具有重要意義。
　　本文建立了一套完整的

2、單片集成智能功率模塊ESD保護網絡模型，包括低壓輸入網絡模型與高壓輸出網絡模型。低壓端口網絡建模主要針對低壓二極管，在理想二極管電流方程的基礎上，考慮了串聯(lián)電阻和雪崩擊穿的影響，建立了低壓端口網絡二極管模型，然后分析了器件二次擊穿產生機理，給出了模擬二次擊穿的仿真方法。高壓端口網絡建模主要包括SOI-FRD和SOI-LIGBT兩部分，其中SOI-FRD器件建模采用了低壓網絡二極管的建模思路;而SOI-LIGBT器件的建模則是基于器件的響