一款無片外電容LDO的設計和研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著電子產品逐漸向便攜式以及多功能的方向發(fā)展，低壓差線性穩(wěn)壓器由于其尺寸小、噪聲低、電路結構簡單以及成本低等優(yōu)點，則在電源管理芯片中占有重要地位。而SoC技術和IP復用對于芯片集成度的要求相對來說較高，所以如何能夠去掉LDO中片外大電容來提高芯片集成度也受到了很多的關注和研究。因此無片外電容LDO的研究是極具現(xiàn)實意義的。
　　本文旨在研發(fā)一款負載變化范圍較寬并具有較好的負載瞬態(tài)響應特性的無片外電容LDO。其輸入電壓范圍為3~5V,

2、輸出電流范圍0~100mA，輸出電壓為2.8V，本文討論和分析了無片外電容LDO穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應問題，介紹了目前無片外電容LDO的穩(wěn)定性設計技術和瞬態(tài)響應改善技術。在此基礎上，提出了本設計優(yōu)化方案，主要是采用嵌套式米勒補償進行穩(wěn)定性設計，通過添加擺率增強電路來優(yōu)化瞬態(tài)響應。基于CSMC0.5μm N阱工藝，完成了電路設計與仿真。最后得到的仿真結果為：最小壓降VDROP小于200mV；靜態(tài)電流IQ大約為60μA；線性調整率LR約為0.07

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