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文檔簡介
1、隨著移動智能設(shè)備的不斷發(fā)展，電源管理芯片的需求越來越大，要求也越來越高。LDO作為電源管理芯片的一員，具有芯片面積小、功耗低、電源抑制特性好以及電路簡單等優(yōu)點(diǎn)。運(yùn)算放大器是模擬電路中最基本的具有完整功能的模塊單元，是信號處理電路不可缺少的一部分。因此高性能LDO的設(shè)計(jì)和典型運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)的研究，具有重要的理論意義和工程意義。
本文采用TSMC65nm LP CMOS工藝設(shè)計(jì)了一個無片外電容的LDO電路，其基本模塊有電壓基準(zhǔn)電路
2、、誤差放大器、功率器件和電阻反饋網(wǎng)絡(luò)。由于該LDO沒有片外大負(fù)載電容，為了保證環(huán)路的穩(wěn)定性，在功率管的柵極和漏極之間插入了補(bǔ)償電容。為了減小LDO的輸出噪聲，在電壓基準(zhǔn)和電阻反饋網(wǎng)絡(luò)的后面添加了電容和有源電阻構(gòu)成的低通濾波器，以抑制電壓基準(zhǔn)電路和電阻反饋網(wǎng)絡(luò)對輸出噪聲的影響。為了提高LDO的電源紋波抑制(PSR)能力，在帶隙電壓基準(zhǔn)電路的運(yùn)放中加入了二極管負(fù)載的共源級。另外，本文研究了兩級運(yùn)放的典型模型，給出了快速設(shè)計(jì)兩級運(yùn)放的設(shè)計(jì)流程
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