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文檔簡介
1、隨著半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展,MOS器件的最小加工尺寸已經(jīng)達(dá)到深亞微米量級(jí),這使得芯片運(yùn)算速度更快,功耗更低,片上功能更豐富,而且成本更低.然而隨著MOS器件尺寸的不斷縮小和電源電壓的降低,又帶來了一系列問題,比如短溝道效應(yīng)、電勢障衰減效應(yīng)、源極引發(fā)能障衰退以及逆短溝道效應(yīng)等.論文首先討論了這些效應(yīng)對MOS器件閾值電壓的影響,建立了深亞微米MOS器件閾值電壓的初步模型.隨著集成技術(shù)的發(fā)展,SOC(System-on-Chip)已經(jīng)變成現(xiàn)實(shí),
2、并成為今后發(fā)展的重要方向.SOC采用深亞微米工藝制造和低壓單電源供電方式,因此其中的運(yùn)放不但要具有傳統(tǒng)運(yùn)放的特性,如高增益,低失調(diào)等,還必須有盡量大的輸入共模范圍和動(dòng)態(tài)輸出幅度.所謂rail-to-rail運(yùn)放就是指輸入共模電壓范圍和輸出信號(hào)幅度都達(dá)到極限值,即等于或接近電源電壓的放大器.該章將采用0.18um CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一種1.8V單電源供電的rail-to-rail運(yùn)算放大器.這種運(yùn)放在SOC中將有廣泛用途.靜電放電(ES
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