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1、超低電壓微納電子學(xué)是當(dāng)代學(xué)術(shù)界和工業(yè)界迎合綠色設(shè)計的關(guān)注熱點。設(shè)計等效為毫伏數(shù)量級的閾值電壓MOSFET，主流方法是大寬長比和體源偏置，改良的方法是前兩法的融合。
本研究主要內(nèi)容包括：⑴綜論實現(xiàn)超低電壓模擬電路的硅極限供電壓與基本設(shè)計理念；⑵從單管出發(fā)，建構(gòu)推導(dǎo)大寬長比條件下的nA級漏電流，并改良設(shè)計極少管子構(gòu)造的關(guān)鍵模擬電路。旨在重點分析李文石教授發(fā)明的3MOSFET施密特非門，主要工作內(nèi)容：一是構(gòu)建大寬長比的單管 I-V特
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