基于Mix-IS算法的SRAM設(shè)計(jì)及良率分析.pdf

1、SRAM是一種重要的存儲(chǔ)器，具有速度快、功耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于系統(tǒng)級(jí)芯片。隨著CMOS工藝的不斷進(jìn)步，SRAM的性能不斷提高的同時(shí)，其生產(chǎn)成本也在不斷下降。然而，當(dāng)工藝尺寸降低到100nm以后，工藝參數(shù)的隨機(jī)變化引起的MOS管閾值電壓波動(dòng)，對(duì)SRAM穩(wěn)定性的影響越來越嚴(yán)重，成為限制SRAM良率提高的重要因素之一。正因?yàn)槿绱?，近年來在SRAM，特別是全定制SRAM設(shè)計(jì)過程中，充分考慮工藝變化的設(shè)計(jì)思想（variation-a

2、ware design）成為業(yè)界的一大熱點(diǎn)。傳統(tǒng)的PVT分析方法已經(jīng)不能滿足先進(jìn)工藝下對(duì)SRAM高良率的要求，采用蒙特卡洛方法分析工藝參數(shù)變化對(duì)SRAM穩(wěn)定性及性能的影響已被廣泛接納。
　　本文首先分析了CMOS工藝以及工藝參數(shù)變化對(duì)SRAM穩(wěn)定性的影響。隨之，鑒于高密度的SRAM對(duì)存儲(chǔ)單元失效率的嚴(yán)格要求，探討了蒙特卡羅分析方法存在的收斂速度慢、仿真時(shí)間長等問題。為解決這些題，本文基于混合重要性采樣算法，實(shí)現(xiàn)了一種快速蒙特卡羅方