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  • <em>igbt</em>驅(qū)動(dòng)8

    <em>igbt</em>驅(qū)動(dòng) igbt驅(qū)動(dòng)(8頁)

    武漢大學(xué)設(shè)計(jì)說明書第1頁共8頁一方案論證方案論證絕緣柵雙極型晶體管IGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSIST是一種由雙極晶體管與MOSFET組合的器件,它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性,又具有雙極晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn),近年來在各種電力變換...

    下載價(jià)格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-08 / 9人氣

  • 高速<em>IGBT</em>及<em>IGBT</em>抗閂鎖性能優(yōu)化.pdf76

    高速<em>IGBT</em>及<em>IGBT</em>抗閂鎖性能優(yōu)化.pdf 高速IGBTIGBT抗閂鎖性能優(yōu)化.pdf(76頁)

    文章從技術(shù)發(fā)展角度總結(jié)了IGBT發(fā)明初期的發(fā)展歷史,比較全面的介紹了動(dòng)態(tài)控制IGBT陽極發(fā)射結(jié)的研究進(jìn)展與現(xiàn)狀,并列舉了目前比較常見的能提高IGBT抗閂鎖能力的設(shè)計(jì)方法。采用MEDICI電路仿真功能模擬研究基于陳星弼教授的專利一種高速IGBT27而設(shè)計(jì)的兩種高速IGBT結(jié)構(gòu)...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 二號位 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-09 / 7人氣

  • <em>igbt</em>概念股2

    <em>igbt</em>概念股 igbt概念股(2頁)

    科達(dá)股份600986錢江摩托000913華微電子600360、華微電子600360、中環(huán)股份002129、臺(tái)基股份300046IGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSIST,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻...

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  • <em>igbt</em>的保護(hù)2

    <em>igbt</em>的保護(hù) igbt的保護(hù)(2頁)

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  • <em>IGBT</em>失效分析技術(shù).pdf68

    <em>IGBT</em>失效分析技術(shù).pdf IGBT失效分析技術(shù).pdf(68頁)

    自20世紀(jì)60年代起,電力電子技術(shù)的出現(xiàn)為提高能源利用率,實(shí)現(xiàn)電能變換以及實(shí)施各國的新能源戰(zhàn)略開辟了新的道路?,F(xiàn)今,電力電子技術(shù)的發(fā)展極大的幫助了人類實(shí)現(xiàn)對自然資源的合理、高效以及可持續(xù)利用。目前,以IGBT(INSULATEDGATEBIPOLATTRANSIST,絕緣柵雙極型晶...

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  • <em>igbt</em>驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)8

    <em>igbt</em>驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) igbt驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(8頁)

    一種一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT的概念是20世紀(jì)80年代初期提出的。IGBT具有復(fù)雜的集成結(jié)構(gòu),它的工作頻率可以遠(yuǎn)高于雙極晶體管。IGBT已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體器件的主流。在10~100KHZ的中高壓大電流的范圍內(nèi)得到廣泛應(yīng)用。IGBT進(jìn)一步簡化了功率器件的驅(qū)動(dòng)...

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  • <em>IGBT</em>模型仿真研究.pdf69

    <em>IGBT</em>模型仿真研究.pdf IGBT模型仿真研究.pdf(69頁)

    近年來電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展促進(jìn)了半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展,計(jì)算機(jī)仿真技術(shù)的不斷進(jìn)步大大降低了電力電子技術(shù)的研發(fā)成本,提高了效率。計(jì)算機(jī)仿真的關(guān)鍵為器件的建模。IGBT為新型電力電子器件,通用仿真軟件中如PSPICE沒有它的仿真模型,所以建立PSPICE仿真模型對于...

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  • 單相<em>igbt</em>變頻電源研究48

    單相<em>igbt</em>變頻電源研究 單相igbt變頻電源研究(48頁)

    河北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文單相IGBT變頻電源研究姓名張來申請學(xué)位級別碩士專業(yè)模式識(shí)別與智能系統(tǒng)指導(dǎo)教師耿恒山20061101IIINVESTIGATIONOFSINGLEPHASEIGBTVARIABLEFREQUENCYPOWERSUPPLYABSTRACTATPRESENTMANYBIGOILFIELDSAREMININGTOCONTAININGTHEGUMQUALITYASPHALTC...

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  • <em>IGBT</em>驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì).pdf54

    <em>IGBT</em>驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì).pdf IGBT驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì).pdf(54頁)

    隨著IGBT在電力電子技術(shù)中的廣泛應(yīng)用,其驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)也備受關(guān)注。因?yàn)樗翘岣吣芰哭D(zhuǎn)換效率和保護(hù)IGBT的關(guān)鍵器件,它是強(qiáng)電和弱點(diǎn)的接口,是IGBT門極控制的直接動(dòng)力,又是檢測IGBT狀態(tài)的最直接方式,所以IGBT驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)既涉及對于IGBT功率半導(dǎo)體的特性了解,...

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  • <em>IGBT</em>驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究.pdf65

    <em>IGBT</em>驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究.pdf IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究.pdf(65頁)

    隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,IGBT模塊越來越多的應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域。IGBT驅(qū)動(dòng)連接著控制系統(tǒng)與IGBT功率模塊,驅(qū)動(dòng)技術(shù)作為IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)之一,對IGBT的安全可靠的工作非常重要,并直接關(guān)系到整個(gè)電力電子系統(tǒng)的性能。研究更高性能的IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù),改善IGBT工作環(huán)...

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  • <em>IGBT</em>的分析與設(shè)計(jì).pdf65

    <em>IGBT</em>的分析與設(shè)計(jì).pdf IGBT的分析與設(shè)計(jì).pdf(65頁)

    絕緣柵雙極晶體管INSULATEGATEBIPOLARTRANSISTIGBT是一種由場效應(yīng)晶體管MOSFET和雙極型功率晶體管BJT結(jié)合而成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。它既具有MOSFET的輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡單、開關(guān)速度高的優(yōu)點(diǎn),又具有BJT的電流密度大、飽和壓降低、電流處理能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。但...

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  • <em>igbt</em>驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)計(jì)算詳解8

    <em>igbt</em>驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)計(jì)算詳解 igbt驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)計(jì)算詳解(8頁)

    IGBT驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)計(jì)算詳解大功率IGBT模塊在使用中驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要,本文介紹在特定應(yīng)用條件下IGBT門極驅(qū)動(dòng)性能參數(shù)的計(jì)算方法,經(jīng)驗(yàn)公式及有關(guān)CONCEPT驅(qū)動(dòng)板的選型標(biāo)準(zhǔn),得出的一些參數(shù)值可以作為選擇一款合適IGBT驅(qū)動(dòng)器的基本依據(jù)。1門極驅(qū)動(dòng)的概念I(lǐng)GBT存在門極發(fā)射...

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  • <em>IGBT</em>模塊故障預(yù)測技術(shù).pdf71

    <em>IGBT</em>模塊故障預(yù)測技術(shù).pdf IGBT模塊故障預(yù)測技術(shù).pdf(71頁)

    論文題目IGBT模塊故障預(yù)測技術(shù)模塊故障預(yù)測技術(shù)專業(yè)學(xué)位類別工程碩士學(xué)號201122070127作者姓名朱炯炯朱炯炯指導(dǎo)教師龍兵龍兵副教授教授5RESEARCHONFAILUREPREDICTIONOFIGBTMODULESATHESISSUBMITTEDTOUNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCETECHNOLOGYOFCHINAMAJINSTRUMENTATI...

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  • <em>IGBT</em>串聯(lián)技術(shù)的研究.pdf70

    <em>IGBT</em>串聯(lián)技術(shù)的研究.pdf IGBT串聯(lián)技術(shù)的研究.pdf(70頁)

    IGBT因其具有高額定電壓、電流,開關(guān)速度快,易于驅(qū)動(dòng)等優(yōu)點(diǎn),成為低一高功率變換應(yīng)用中的最佳選擇。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,電壓越來越高。如高壓逆變器、高壓直流輸電系統(tǒng)和柔性直流輸電系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中,電壓通常高達(dá)數(shù)十千伏,不可能使用單個(gè)開關(guān)器件實(shí)現(xiàn)。...

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  • <em>IGBT</em>器件的研究與應(yīng)用.pdf60

    <em>IGBT</em>器件的研究與應(yīng)用.pdf IGBT器件的研究與應(yīng)用.pdf(60頁)

    IGB工具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、導(dǎo)通電阻小、開關(guān)損耗低及工作頻率高等優(yōu)點(diǎn),是新型電力半導(dǎo)體器件中具有代表性的平臺(tái)器件。IGBT的應(yīng)用十分廣泛,從普通的家用電器到國防軍事武器都有重要的應(yīng)用,然而國內(nèi)絕大部分IGBT產(chǎn)品依賴進(jìn)口,因此研究IGBT器件具...

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  • <em>igbt</em>模塊的等效熱路模型6

    <em>igbt</em>模塊的等效熱路模型 igbt模塊的等效熱路模型(6頁)

    IGBT模塊的等效熱路模型引言半導(dǎo)體器件的熱特性可以使用不同的等效熱路模型來描述圖1連續(xù)網(wǎng)絡(luò)熱路模型CONTINUEDFRACTIONCIRCUIT也稱作CAUER模型T模型或梯形網(wǎng)絡(luò)連續(xù)網(wǎng)絡(luò)熱路模型CONTINUEDFRACTIONCIRCUIT反應(yīng)了帶有內(nèi)部熱阻的半導(dǎo)體器件的熱容量真實(shí)的物理傳導(dǎo)過程。...

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  • <em>IGBT</em>驅(qū)動(dòng)策略與仿真研究.pdf68

    <em>IGBT</em>驅(qū)動(dòng)策略與仿真研究.pdf IGBT驅(qū)動(dòng)策略與仿真研究.pdf(68頁)

    隨著IGBT功率等級的不斷提高,IGBT驅(qū)動(dòng)策略面臨著新的挑戰(zhàn),如高耐壓值與開關(guān)速度間的矛盾、開通速度較慢與更早地檢測短路狀態(tài)間的矛盾、更大的電流下降速率帶來更高的關(guān)斷電壓尖峰等。因此,研究能夠優(yōu)化IGBT開關(guān)過程、提升短路保護(hù)性能的IGBT驅(qū)動(dòng)策略具有重要的意...

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  • 單相<em>IGBT</em>變頻電源研究.pdf48

    單相<em>IGBT</em>變頻電源研究.pdf 單相IGBT變頻電源研究.pdf(48頁)

    目前各大油田在開采含膠質(zhì)瀝青,含蠟和凝固點(diǎn)高的“三高”原油方面,通常采用空心抽油桿工頻加熱技術(shù)。為了解決稠油井熱采中工頻加熱效果差和浪費(fèi)電能等問題,利用脈沖寬度調(diào)制(PWM)和正弦波脈沖寬度調(diào)制技術(shù)(SPWM)變頻技術(shù),研制了中頻電源,為加熱電纜提供電壓...

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  • 新型RC-<em>IGBT</em>的研究.pdf113

    新型RC-<em>IGBT</em>的研究.pdf 新型RC-IGBT的研究.pdf(113頁)

    在新能源、高鐵、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)這些綠色產(chǎn)業(yè)或產(chǎn)品中絕緣柵雙極型晶體管INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTIGBT是必不可少的核心功率器件。隨著低碳、節(jié)能概念在全球范圍內(nèi)的普及IGBT將會(huì)成為功率器件市場的主流產(chǎn)品。自誕生以來IGBT就朝著高功率、高可靠性、低功耗...

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  • 高壓<em>IGBT</em>的失效機(jī)理分析.pdf56

    高壓<em>IGBT</em>的失效機(jī)理分析.pdf 高壓IGBT的失效機(jī)理分析.pdf(56頁)

    自20世紀(jì)80年代起,現(xiàn)代功率半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展至今,以IGBT(INSULATEDGATEBIPOLARTRANSIST,絕緣柵雙極型晶體管)為代表的現(xiàn)代功率器件技術(shù)對于促進(jìn)傳統(tǒng)工業(yè)和高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著至關(guān)重要的作用。IGBT是一種混合型的電力電子器件,具有工作頻率高,驅(qū)動(dòng)電路簡...

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