IGBT驅(qū)動(dòng)策略與仿真研究.pdf

1、隨著IGBT功率等級(jí)的不斷提高，IGBT驅(qū)動(dòng)策略面臨著新的挑戰(zhàn)，如高耐壓值與開(kāi)關(guān)速度間的矛盾、開(kāi)通速度較慢與更早地檢測(cè)短路狀態(tài)間的矛盾、更大的電流下降速率帶來(lái)更高的關(guān)斷電壓尖峰等。因此，研究能夠優(yōu)化IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程、提升短路保護(hù)性能的IGBT驅(qū)動(dòng)策略具有重要的意義。
　　在本文中，對(duì) IGBT的工作機(jī)理及工作特性進(jìn)行了介紹，使用雙極傳輸理論對(duì)Hefner數(shù)學(xué)模型進(jìn)行了詳細(xì)推導(dǎo)，并將關(guān)斷暫態(tài)模型中的耗盡層電容作為時(shí)間的函數(shù)，作出了修

2、正?；诜治龊屯茖?dǎo)結(jié)論，研究了包括閉環(huán)變電阻開(kāi)關(guān)、dic/dt與集電極電壓聯(lián)合檢測(cè)短路、基于變門(mén)極電壓軟關(guān)斷的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)策略?；赟aber建立IGBT仿真模型，對(duì)模型進(jìn)行了靜態(tài)特性仿真以及雙脈沖測(cè)試仿真。利用該模型搭建了IGBT驅(qū)動(dòng)仿真平臺(tái)，對(duì)閉環(huán)、開(kāi)環(huán)及不變電阻的開(kāi)關(guān)策略進(jìn)行了仿真對(duì)比；在不同短路情況下進(jìn)行了短路檢測(cè)策略仿真；在不同短路情況下進(jìn)行了硬關(guān)斷、軟關(guān)斷短路保護(hù)策略仿真對(duì)比。
　　通過(guò)對(duì)建立的IGBT模型進(jìn)行靜態(tài)