IGBT驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì).pdf

1、隨著IGBT在電力電子技術(shù)中的廣泛應(yīng)用，其驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)也備受關(guān)注。因?yàn)樗翘岣吣芰哭D(zhuǎn)換效率和保護(hù)IGBT的關(guān)鍵器件，它是強(qiáng)電和弱點(diǎn)的接口，是IGBT門極控制的直接動(dòng)力，又是檢測(cè)IGBT狀態(tài)的最直接方式，所以IGBT驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)既涉及對(duì)于IGBT功率半導(dǎo)體的特性了解，又要結(jié)合大規(guī)模集成電路制造的工藝現(xiàn)狀。
　　本文首先詳細(xì)討論了IGBT的結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理，以及它的基本應(yīng)用拓?fù)?，包括?qū)動(dòng)和隔離等內(nèi)容，旨在為驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)提供實(shí)際的應(yīng)

2、用環(huán)境。因?yàn)镮GBT可視為雙極型大功率晶體管和功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的復(fù)合，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管。所以開(kāi)關(guān)過(guò)程較為復(fù)雜，而且開(kāi)關(guān)時(shí)間不對(duì)稱，關(guān)斷時(shí)存在拖尾現(xiàn)象。為了針對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)進(jìn)行設(shè)計(jì)，因此對(duì)IGBT的討論占用了不少的篇幅。
　　另外，它的基本應(yīng)用系統(tǒng)和切實(shí)可行的工藝選擇也是設(shè)計(jì)一款芯片必備的條件。IGBT一般用于逆變電路，上下臂電壓差別很大，因此需要隔離;IGBT驅(qū)動(dòng)對(duì)于電壓電流的要求較高，同時(shí)又要集成保護(hù)