Pb-,n-S(n=1-13)和Si-,m-Sb(m=1-14)團(tuán)簇基態(tài)結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)的第一性原理研究.pdf

1、本文應(yīng)用密度泛函理論中的廣義梯度近似分別對PbnS和SimSb團(tuán)簇進(jìn)行了結(jié)構(gòu)優(yōu)化，通過分析PbnS和SimSb團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)，得到了PbnS的幻數(shù)結(jié)構(gòu)和鍵合性質(zhì)以及SimSb團(tuán)簇的幻數(shù)結(jié)構(gòu)。本文具體內(nèi)容如下： 第一章主要介紹了密度泛函的有關(guān)理論，如密度泛函理論的特點(diǎn)、密度泛函理論的概念等。在介紹密度泛函理論的概念時，主要介紹Hohenberg-Kohn定理和Kohn-Sham方程以及他們的證明過程。另外還對交換關(guān)聯(lián)能和密度

2、泛函理論的計算方法及馬利肯布局?jǐn)?shù)分析進(jìn)行了介紹。 第二章首先對Materials Studio軟件包進(jìn)行了介紹，然后再進(jìn)一步介紹Dmol3軟件包，最后再分析了用密度泛函理論研究PbnS團(tuán)簇和SimSb團(tuán)簇的理論意義。 第三章我們對PbnS和SimSb團(tuán)簇結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)進(jìn)行研究。首先，應(yīng)用密度泛函理論中的廣義梯度近似對PbnS團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)地研究，并對頻率和能量進(jìn)行計算，得到了PbnS團(tuán)簇的最低能量結(jié)構(gòu)，通

3、過分析PbnS團(tuán)簇的平均結(jié)合能、二階能量差分、最高分子占據(jù)軌道和最低分子空軌道間的能隙及垂直電離勢，發(fā)現(xiàn)4和10是PbnS團(tuán)簇的幻數(shù)。最后對PbnS團(tuán)簇的布局?jǐn)?shù)進(jìn)行分析，得到PbnS團(tuán)簇中鍵的結(jié)合是以共價鍵和離子鍵的方式共存。其次，仍應(yīng)用密度泛函理論中的廣義梯度近似對SimSb團(tuán)簇結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)進(jìn)行了研究，通過分析SimSb團(tuán)簇的平均結(jié)合能、二階能量差分、最高分子占據(jù)軌道和最低分子空軌道間的能隙以及分裂能等電子性質(zhì)，得到了4、10和12