實(shí)驗(yàn)四 集成門電路參數(shù)測試_第1頁
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文檔簡介

1、二、實(shí)驗(yàn)原理要點(diǎn),1、TTL與非門主要參數(shù),(1)空載導(dǎo)通電流Iccl;空載截止電流Icch。Iccl和Icch的大小標(biāo)志著與非門電路在靜態(tài)情況下功耗的大小,Iccl和Icch二者越小越好。(2)低電平輸入電流IIL。IIL是指當(dāng)一個輸入端接地,而其他輸入端懸空時(shí),流向接地端的電流,又稱為輸入短路電流。 IIL關(guān)系到前一級門電路能帶動負(fù)載的個數(shù)。 IIL過大或過小都不好。(3)高電平輸入電流IIH。IIH是指當(dāng)一個輸入端

2、接高電平,而其他輸入端接地時(shí),流過接高電平輸入端的電流,又稱為交叉漏電流。 IIH主要作為前級門輸出為高電平時(shí)的拉電流,不宜太大。,(4)輸出高電平VOH;輸出低電平VOL。VOH是指與非門一個以上的輸入端接低電平或接地時(shí),輸出的電壓大小。VOL是指與非門的所有輸入端均接高電平時(shí),輸出電壓的大小。(5)開門電平VON:使與非門輸出處于低電平狀態(tài)時(shí)所允許的最小輸入電壓; 關(guān)門電平VOFF:使與非門輸出處于高電平狀態(tài)所允許

3、的最大輸入電壓。(6)扇出系數(shù)N0:驅(qū)動同類門的個數(shù),(7)平均延遲時(shí)間Tpd=1/2(Tpdl+Tpdh),,(8)電壓傳輸特性Uo=f(Ui),電壓傳輸特性是指輸出電壓UO和輸入電壓Ui的函數(shù)關(guān)系。,(9)噪聲容限電壓: 高電平噪聲容限電壓VNH=VOH(VOHMIN)-VON,表示輸入為高電平時(shí),所允許的噪聲電壓最大值。 低電平噪聲容限電壓VNL=VOFF-VOL(VOLMAX),表示輸入為低電平時(shí),所允

4、許的噪聲電壓最小值。,2、CMOS門電路主要參數(shù)含義,,:輸出高電平電壓值,,,;,:輸出高電平允許的最小電壓值,,,;,,:輸出低電平電壓值,,;,,:輸出低電平允許的最大電壓值,,,;,(,):使輸出低電平為,的最小輸入高電平值,當(dāng),時(shí),其規(guī)范值為3.5V;,,(,):使輸出高電平為,的最大輸入低電平值,當(dāng),時(shí),其規(guī)范值為3.5V;,:高電平噪聲容限,,=,-,;,,:低電平噪聲容限,,=,-,,。,3、多余輸入端處理方法及使用注意

5、事項(xiàng),1)TTL:懸空≈高電平,也可以通過接上拉電阻接電源Vcc, 或者和其他輸入端并聯(lián)使用。2)CMOS:不允許懸空,根據(jù)情況接Vcc或者接地。3)電源:每個芯片都有電源和地,所以在使用時(shí),每個芯片 都必須接電源和地。4)輸出端不能接地、接電源,兩個輸出端也不能相互連接。,三、實(shí)驗(yàn)任務(wù),(一)TTL與非門74LS20直流參數(shù)測試。1、測電壓傳輸特性(逐點(diǎn)法)(課后用坐標(biāo)紙描點(diǎn)作圖),(二)CMOS電路參數(shù)測

6、試1、CMOS六反相器CD4069 tpd的值。如圖,用5個非門串聯(lián)構(gòu)成閉路,用示波器測量波形的掃描周期T,測出T后→計(jì)算 tpd=T/10=,2、CMOS二輸入四或非門CD4001電壓傳輸特性Uo=f(Ui)測量(圖示法)。測量方法見實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書P5,用XY方式觀察,X通道設(shè)置為0.5V/div,Y通道設(shè)置為1V/div,注意耦合方式開關(guān)置于“DC”方式,必須先確定“0”點(diǎn)的位置,再用坐標(biāo)紙描繪波形。,本次實(shí)驗(yàn)涉及的芯片管腳圖

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