版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、1SI仿真介紹信號完整性(SIGNALINTEGRITY簡稱SI)是指信號在電路中以正確的時序和電壓作出響應的能力。由于信號速率的提高,信號在板級的整個傳輸鏈路不再是集中參數(shù),如傳輸線、過孔、器件封裝焊盤、連接器等都要看成分布參數(shù),這些分布參數(shù)會造成信號的延時、阻抗不匹配引起的信號反射、速率提高造成的趨膚損耗增大、PCB板材的介電損耗增大等等,這些高速效應均會給信號質量帶來一系列惡化影響,如過沖、振鈴、非單調性、噪聲裕量減小、上升下降沿
2、變緩、眼圖惡化、抖動加大等等,最終會導致誤碼、系統(tǒng)不穩(wěn)定等多種產(chǎn)品問題。1.1SI仿真內(nèi)容SI仿真分為前仿真和后仿真,主要對DDR和NFLASH的信號完整性進行仿真,具體內(nèi)容包括過沖、振鈴和眼圖三方面。過沖:過沖就是第一個峰值或谷值超過設定電壓——對于上升沿是指最高電壓而對于下降沿是指最低電壓。振蕩:振蕩和過沖在本質上是相同的,在一個時鐘周期中反復的出現(xiàn)過沖和下沖我們就稱之為振蕩。振蕩是電路中因為反射而產(chǎn)生的多余能量無法被及時吸收的結果
3、。振蕩根據(jù)表現(xiàn)形式可分為振鈴和環(huán)繞振蕩。振鈴為欠阻尼振蕩而環(huán)繞振蕩為過阻尼振蕩。眼圖:指利用實驗的方法估計和改善(通過調整)傳輸系統(tǒng)性能時在示波器上觀察到的一種圖形。眼圖的成因:由于示波器的余輝作用,掃描所得的每一個碼元波形將重疊在一起,從而形成眼圖。閾值電壓(ThresholdVoltagesV_high_refV_low_ref)示波器開始停止測量的電壓,如下圖所示:V_high:信號的額定高電平(或最高電壓);V_high_ref
4、:信號高電平的參考電壓(80%V_high);V_low:信號的低電平(或最低電壓);V_low_ref:信號低電平的參考電壓(V_low20%V_high)。如圖1所示:圖1Tsu:信號建立時間;Th:信號保持時間。信號傳輸時差:T_high:在眼圖中信號高電平所經(jīng)歷的時差(如圖2中菱形框中上部分實線橫杠所示)T_low:在眼圖中信號高電平所經(jīng)歷的時差(如圖2中菱形框中下部分實線橫杠所示)2.4鼠標左鍵點擊第一排的兩個IC符號以便激活
5、LineSim原理圖中的驅動器和接收器IC(CELLA0和B0),點擊連接兩個IC之間的標準的傳輸線符號,就可以激活此傳輸線,點擊RS(A0)后出現(xiàn)選擇電阻、電容、電感的窗口,如圖4和圖5所示:圖4圖52.5添加器件的IBIS模型庫點擊菜單欄中的ModelsEditModelsLibraryPaths,進入SetDirecties窗口。在SetDirecties中點擊左邊的Edit,進入DirectiesFICModelFiles,點擊
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 基于HyperLynx的高速采集板卡SI設計與仿真.pdf
- pcb的阻抗控制與前端仿真(si9000的應用)
- C-SI系統(tǒng)的分子動力學并行仿真.pdf
- 仿真操作演示在護理技術操作考核中的應用
- 汽油機SI-HCCI混合燃燒的仿真研究.pdf
- 基于黑硅材料的Si-APD功能仿真研究.pdf
- 中板軋制仿真操作實訓項目
- 基于HyperLynx的高速數(shù)字電路SI分析與仿真.pdf
- 高速數(shù)字信號處理平臺SI研究和仿真設計.pdf
- amesim與simulink聯(lián)合仿真操作指南
- SI環(huán)和SI模.pdf
- Ti-Si-N納米結構形成的KMC模擬仿真.pdf
- 關于線路合閘操作暫態(tài)仿真的分析
- FURUNO系列GMDSS設備操作仿真研究.pdf
- Ti-Si-N薄膜表面生長過程的KMC仿真.pdf
- 電壓模式a-Si TFT AMOLED象素驅動電路的設計與仿真.pdf
- 基于聯(lián)動臺操作的岸橋仿真訓練系統(tǒng)動態(tài)仿真.pdf
- si units
- 制氧機組仿真操作平臺的開發(fā)及應用
- 利用金屬過渡層鍵合Si-Si、Si-GaN的研究.pdf
評論
0/150
提交評論