銅化學(xué)機(jī)械拋光工藝的拋光液研究.pdf

1、銅的化學(xué)機(jī)械拋光已經(jīng)成為現(xiàn)代集成電路制造行業(yè)中發(fā)展最為迅速的工藝，在集成電路芯片制造的過(guò)程中它可以滿(mǎn)足各種不同薄膜的平坦化要求。盡管銅化學(xué)機(jī)械拋光工藝的發(fā)展非常迅猛，但是相對(duì)來(lái)說(shuō)它的理論基礎(chǔ)研究還并不完善，尤其是硅片拋光液和拋光墊之間的相互作用關(guān)系，新的化學(xué)機(jī)械拋光工藝必然會(huì)有新的更復(fù)雜的化學(xué)劑配方加入?？傊?，對(duì)于下一代化學(xué)機(jī)械拋光工藝的發(fā)展，如何理解拋光液的基本原理以及進(jìn)行改善是非常關(guān)鍵的。 拋光液的優(yōu)劣主要有拋光率，平坦性以

2、及缺陷的數(shù)量等幾個(gè)參數(shù)反應(yīng)。為了獲得更加平坦的表面在拋光之前必須形成鈍化層然后進(jìn)行拋光，使用的化學(xué)添加劑比如過(guò)氧化氫（H2O2）等作為氧化劑來(lái)形成這個(gè)表面鈍化層，其他的化學(xué)添加劑作為抑制劑或配位劑也會(huì)加入拋光液對(duì)氧化層進(jìn)行調(diào)節(jié)。在這個(gè)研究中，我們使用氧化劑為過(guò)氧化氫的拋光液，然后試驗(yàn)不同的配位劑和抑制劑在PH值2至10的范圍內(nèi)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。經(jīng)過(guò)分析和比較最終的平坦化效果，確定兩種配位劑和一種抑制劑作為拋光液的成分。同時(shí)對(duì)于這種配方的拋光液在