2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical-Mechanical Planarization，簡(jiǎn)稱CMP）是目前條件下一種較為理想的獲得高質(zhì)量表面的處理方法，該方法通過(guò)化學(xué)和機(jī)械的雙重作用去除材料，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化和局部平坦化。
　　目前國(guó)際上流行的干進(jìn)、干出式CMP設(shè)備一般包括拋光部件、在位檢測(cè)部件、清洗部件、干燥部件、機(jī)械手搬運(yùn)部件等等，其中拋光部件是CMP設(shè)備的核心。拋光頭檢測(cè)平臺(tái)作為拋光部件的必備配套裝置，直接影響到晶圓

2、表面的拋光效果，對(duì)保證拋光質(zhì)量的一致性、減少CMP設(shè)備的維護(hù)時(shí)間、提高CMP設(shè)備的利用率具有重要作用。
　　論文在深入分析國(guó)外相關(guān)設(shè)備以及CMP拋光工藝過(guò)程基礎(chǔ)上，針對(duì)拋光頭裝卸晶片的檢測(cè)要求，設(shè)計(jì)了一套機(jī)械裝置，可全面測(cè)量裝卸片的高度、偏度等參數(shù)，為確保CMP工作質(zhì)量奠定了良好基礎(chǔ)。
　　選擇相對(duì)潔凈的動(dòng)力能源——?dú)鈮毫鲃?dòng)為動(dòng)力源，采用氣動(dòng)元件搭建了氣動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，可以快速、可靠地完成檢測(cè)任務(wù)，也便于拋光頭的更換與維護(hù)。<

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