化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)機(jī)械本體設(shè)計(jì).pdf

1、隨著集成電路制造技術(shù)的發(fā)展，晶圓直徑不斷增大，特征線寬不斷減小，對(duì)晶圓表面的全局平坦化和局部平坦化提出了很高要求。目前，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP)被認(rèn)為是能夠?qū)崿F(xiàn)晶圓表面局部平坦化和全局平坦化的最佳方法。 CMP設(shè)備是CMP技術(shù)的必要硬件支持，也是CMP技術(shù)的綜合體現(xiàn)。隨著CMP技術(shù)的發(fā)展，目前的CMP設(shè)備已不僅僅包括機(jī)床的機(jī)械部件，還包含了CMP過程的精確控制、終點(diǎn)監(jiān)測(cè)、在線測(cè)量、拋光液輸送配給、拋光墊修整等相關(guān)技術(shù)與系統(tǒng)，并

2、集成了晶圓的CMP后清洗、精確傳輸在內(nèi)的自動(dòng)化系統(tǒng)。目前，國(guó)內(nèi)尚沒有自主開發(fā)的CMP設(shè)備。 本文首先從CMP加工的相關(guān)理論分析著手，分析了拋光機(jī)的運(yùn)動(dòng)形式對(duì)材料去除率及材料去除非均勻性的影響。建立了不同運(yùn)動(dòng)形式下的材料去除率數(shù)學(xué)模型，并在此基礎(chǔ)上進(jìn)行了材料去除率與材料去除非均勻性的數(shù)值分析。然后針對(duì)軌道式拋光機(jī)的兩種基本形式，進(jìn)行了相關(guān)方案的設(shè)計(jì)。結(jié)果表明：弧形軌道式拋光機(jī)的運(yùn)動(dòng)形式在材料去除率及材料去除非均勻性上略優(yōu)于直線軌道