BaTi-,4-O-,9-微波介電陶瓷低溫?zé)Y(jié)及介電性能研究.pdf

1、隨著微波通信的發(fā)展對器件的要求越來越高,除了要求高介電常數(shù)、高品質(zhì)因素、和接近與零的諧振頻率溫度系數(shù)外要求器件的小型化,高可靠性,尋求可制成MLCC的材料己成為高技術(shù)微波陶瓷領(lǐng)域的重要研究方向之一.本論文即是以在Ba-Ti系中具有最低介電損耗的BaTi<,4>O<,9>微波介質(zhì)陶瓷為研究對象,運(yùn)用了XRD、SEM等分析測試手段和HP4192A網(wǎng)絡(luò)分析儀測試介電性能,對BaTi<,4>O<,9>微波介質(zhì)陶瓷的預(yù)燒、制備,對BaTi<,4>

2、O<,9>各種添加的微波介電性能與顯微結(jié)構(gòu)、物相的關(guān)系,Mn、Zr摻雜和各種低熔點(diǎn)氧化物單獨(dú)和復(fù)合添加對BaTi<,4>O<,9>系微波介質(zhì)陶瓷的低溫?zé)Y(jié)效果和介電性能的影響進(jìn)行了研究.本實(shí)驗(yàn)的主要研究結(jié)果如下:1)Mn為可變價(jià)離子可以在缺陷平衡中作為補(bǔ)償劑的作用,有助于維護(hù)Ti<'4+>,從而一定量的Mn摻雜可以降低BaTi<,4>O<,9>系微波介質(zhì)陶瓷的損耗值.2)CuO、Bi<,2>O<,3>和V<,2>O<,5>單獨(dú)和復(fù)合添加

3、都可以起到液相燒結(jié)的作用從而降低燒結(jié)溫度,其中V<,2>O<,5>單獨(dú)添加的作用類似與Mn的添加,Bi<,2>O<,3>單獨(dú)添加可導(dǎo)致介電性能的惡化,從XRD分析可見第二相.相信是第二相BaBi<,4>Ti<,4>O<,15>對其微波介電性能的影響,CuO的單獨(dú)添加會(huì)產(chǎn)生的氧空位而引起介電損耗急劇增大.3)Bi<,2>O<,3>和V<,2>O<,5>復(fù)合添加可以抑制第二相的生成而優(yōu)化介電性能,在添加量為x=0.5wt％,y=0.5wt％