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1、鈮酸鋰晶體由于其優(yōu)良的鐵電、壓電、電光、非線性光學(xué)性能而用途廣泛。隨著器件的發(fā)展,對(duì)材料的內(nèi)在質(zhì)量及加工要求也越來(lái)越高,傳統(tǒng)鈮酸鋰晶體的拋光主要是以金剛石研磨膏為磨料的機(jī)械拋光方法,這種拋光方法由于磨料硬及分散不均勻等原因造成晶片拋光后存在大量的劃傷、拋光霧等表面質(zhì)量問(wèn)題,從而限制了鈮酸鋰晶體的應(yīng)用。研究如何取得高質(zhì)量的拋光表面是擺在人們面前的重要課題?;瘜W(xué)機(jī)械拋光方法在半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展迅速,并且可以取得全局平面化。為此我們利用化學(xué)機(jī)械拋
2、光方法對(duì)鈮酸鋰晶片拋光進(jìn)行了研究,并主要取得如下結(jié)果: 1)對(duì)大直徑鈮酸鋰晶片進(jìn)行了有蠟粘接工藝實(shí)驗(yàn),通過(guò)改變工藝參數(shù),得到了粘接均勻無(wú)氣泡的3英寸鈮酸鋰粘接晶片。 2)建立了修正環(huán)型拋光系統(tǒng)中鈮酸鋰晶片化學(xué)機(jī)械拋光的基本模型。 3)對(duì)鈮酸鋰晶片拋光的化學(xué)拋光液進(jìn)行了研究。通過(guò)改變配方,制取了適合于大直徑鈮酸鋰晶片的拋光液。實(shí)驗(yàn)表明,拋光速率適中,效果較好。 4)優(yōu)化了化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)的工藝參數(shù),對(duì)3英寸
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